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单端扩频晶振
SiTime可编程扩频晶振可确保用户产品满足相关辐射标准，加快产品营收。辐射不合规（产品辐射无法满足相关标准）常常发生在产品开发的最后阶段，造成不可预见的故障排除和昂贵的生产延迟。通过扩频时钟信号和调整信号的上升、下降沿，允许设计人员（通过现场编程的方式实时）降低辐射度。
- 基本频率高达17 dB，谐波高达30 dB
- 广泛的传播范围：峰对峰率高达4％
- FlexEdge™可配置的上升/下降时间选项：转换速率为0.25 ns至40 ns
| Device | Datasheet | Frequency | Stability(PPM) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIT9003 | 1MHz - 110 MHz | ±50 ±100 | LVCMOS | 1.8, 2.5, 2.8, 3.3 | -20 ~ +70 -40 ~ +85 | 2.5x2.0x0.75 3.2x2.5x0.75 5.0x3.2x0.75 | |
| SIT9005 | 1MHz - 141 MHz | ±20 ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8, 2.5 to 3.3 | -20 ~ +70 -40 ~ +85 | 2.0x1.6 2.5x2.0, 3.2x2.5 |
差分扩频晶振
SiTime差分扩频晶振系列是单芯片解决方案，可替代扩频 IC 和外部晶体。差分扩频晶振包括可编程驱动强度功能，通过放慢时钟的上升和下降时间和改善时钟接收器 (RX) 下游抖动，将系统辐射电磁干扰 (EMI) 降低了 12 dB。这些特性保持全摆幅的同时驱动大容性负载。
- 业界最佳的周期间抖动，低至15ps
- 使系统设计人员可以最大程度地减少对时序预算的影响
- 取决于系统的EMI降低，三次谐波最高降低-17 dB，基本峰值功率（100 MHz扩频频率）降低-12 dB
- 具有成本效益的EMI降低和最快的上市时间
- 灵活的扩频选项：
- 多种中心扩展/向下扩展调制模式
- 提供扩展禁用模式：在系统设计中优化EMI性能
| Device | Datasheet | Frequency | Stability(PPM) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIT9002 | 1MHz - 220 MHz | ±25 ±50 | CML/HCSL/LVDS/LVPECL | 1.8, 2.5, 3.3 | -20 ~ +70 -40 ~ +85 | 5.0x3.2x0.75 7.0x5.0x0.9 |
汽车级扩频晶振
SiTime 的汽车 (AEC-Q100) 和高温振荡器在 -55 °C 至 125 °C 范围内具有 ±20 ppm 的频率稳定性。与石英振荡器相比，它们的稳定性提高了 2 倍，可靠性提高了 20 倍，抗冲击和抗振动能力提高了 30 倍。
- 频率为 1 至 150 MHz，精确到小数点后 6 位
- 军用温度（-55 至 125 °C）、汽车温度（-40 至 125 °C）、扩展工业温度（-40 至 105 °C）
- 0.1 ppb/g 的低振动灵敏度（g 灵敏度）
- 抗 50,000 g 冲击和 70 g 振动
- 22 亿小时 MTBF
| Device | Datasheet | Frequency | Stability(PPM) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIT9025 | 1MHz -150 MHz | ±25 ±50 | LVCMOS | 1.8, 2.5 to 3.3 | -40 ~ 85 (Gr. 3) -40 ~ 105 (Gr. 2) -40 ~ 125 (Gr. 1) -55 ~ 125 (Ext. Cold Gr. 1) | 2.0x1.6 2.5x2.0, 3.2x2.5 |
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