受到网络密致化(network densification)趋势的影响,这些系统中的高精度时钟器件必须能在高温、热震荡、振动以及不可预期的气流下持续运行。因此,服务提供商开始担心石英晶振技术是否能应对这样的挑战。
基于Elite PlatformTM 的SiTime MEMS高精度、抗冲击温补晶振,提供业界领先的动态频率稳定特性。SIT5156抗冲击温补晶振采用DualMEMS ™架构设计,结合了三个关键元素:TempFlat MEMS™ 谐振器、MEMS 温度传感器和高度集成的混合信号 IC,是一种高度灵活的,高精度温度补偿振荡器。 SIT5156对环境变化有较强的抗干扰性,在机械冲击、环境振动、温度快速变化、电源噪声和电磁干扰(EMI)的条件下保持优异的动态特性,保证卫星信号的快速锁定。
SIT5156适用小型基站、北斗导航定位GNSS/RNSS、短报文RDSS模块、勘测、电力、水利等高可靠性系统。
SIT5156抗冲击温补晶振可以出厂编程为频率,稳定性,电压和牵引范围的任意组合。 SIT5156的这种可编程性使设计人员能够自定义压控、数控等TCXO配置,以获得最佳系统性能,同时消除了石英温补晶振的寄生模式频率扰动或微跳变。
频率范围 | 1MHz - 60MHz之间任意频率,可精确到小数点后6位 |
频率稳定性(ppm) | ±0.5,±1.0,±2.5 |
相位抖动(ps) | 0.31ps |
输出类型 | LVCMOS,,Clipped sinewave |
工作温度范围(℃) | -20 ~ +70,-40 ~ +85,-40 ~ +105 |
牵引范围(ppm) | ±6.25 ~ ±3200 |
上升/下降时间(ns) | 可配置,降低EMI |
工作电压(V) | 2.5,2.8,3.0,3.3 |
封装尺寸(mm2) | 5.0x3.2 |
特点 | 可编程制程,任意参数自由组合 |
状态 | 量产 |
SiT5156高精度压控温补晶振振动时相位噪声提高20倍
SiT5156高精度压控温补晶振无活动下降或微跳
SiT5156高精度压控温补晶振具有0.2 ps/mV电源噪声抑制(PSNR)
SiT5156高精度压控温补晶振信号模式:LVCMOS或削波正弦波输出
SiT5156高精度压控温补晶振具有丰富的可编程功能
SiT5156高精度压控温补晶可以通过I2C进行数字频率调谐
SiT5156高精度压控温补晶具有卓越的可靠性
● 数据通信系统 | ● 以太网交换机和路由器 | ● 工业IEEE1588 | ● GPS/GNSS模块 |
● 微波回程 | ● 数据中心 | ● 音频和视频 | ● 测试和测量 |
● 精密GNSS | ● 智慧城市 | ● 家庭娱乐 |
功能引脚示意图 |
脚位 |
功能 |
上拉/下拉电阻 |
说明 | |
|
1 |
OE/NC[10]/VC |
OE – Input |
100kΩ Pull-Up |
H[8]: specified frequency output L: output is high impedance. Only output driver is disabled. |
NC – No Connect |
|
H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions | |||
VC – Input |
|
Control Voltage in VCTCXO Mode | |||
2 |
SCL / NC[10] |
SCL – Input |
200kΩ Pull-Up |
I2C serial clock input | |
No Connect |
|
H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions | |||
3 |
NC[10] |
No Connect |
- | H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions | |
4 |
GND |
Power |
- | Connect to ground | |
5 |
A0 / NC[10] |
A0 – Input |
100 kΩ Pull-Up |
Device I2C address when the address selection mode is via the A0 pin. This pin is NC when the I2C device address is specified in the ordering code.
A0 Logic Level I2C Address
0 1100010
1 1101010
|
|
NC – No Connect |
|
H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions. | |||
6 |
CLK |
Output |
- | LVCMOS, or clipped sinewave oscillator output | |
7 |
NC[10] |
No Connect |
- | H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions | |
8 |
NC[10] |
No Connect |
- | H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions | |
9 |
VDD |
Power |
- | Connect to power supply[9] | |
10 |
SDA / NC[10] |
SDA – Input/Output |
200 kΩ Pull Up | I2C Serial Data. | |
NC – No Connect |
|
H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions. |
Notes:
8.In OE mode for noisy environments, a pull-up resistor of 10 kΩ or less is recommended if pin 1 is not externally driven. If pin 1 needs to be left floating, use the NC option.
9.A 0.1 μF capacitor in parallel with a 10 μF capacitor are required between VDD and GND. The 0.1 μF capacitor is recommended to place close to thedevice, and place the 10 μF capacitor less than 2 inches away.
10.All NC pins can be left floating and do not need to be soldered down.
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