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    • 高精度温补晶振TCXO

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    基于Elite PlatformTM 的SiTime高精度温补晶振，提供业界领先的动态频率稳定特性。SiTime高精度温补晶振应用创新的DualMEMS™架构，同时采用TurboCompensation™ 和无噪声温度传感技术，Elite PlatformTM 高精度 Super-TCXOs在气流、温度快速变化、环境振动、机械冲击、电源噪声和电磁干扰 (EMI)的条件下提供最稳定时钟信号。SiTime高精度温补晶振可以编程为各种参数中频率，稳定性，电压和牵引范围的任意组合，从而消除了与石英温补晶振TCXO相关的长交货时间和定制成本。

    CATEGORIES

    ±0.5ppm抗冲击温补晶振±0.05ppm高精度温补晶振±5ppm高精度温补差分晶振±0.1 ppm高精度温补晶振±0.005～±0.02ppm高精度温补晶振

    ±0.5ppm抗冲击温补晶振

    Elite Platform™ Super-TCXO抗冲击温补晶振具有多种频率稳定性（±0.5 ppm至±2.5 ppm），1至220 MHz任意频率，以及出色的动态性能和丰富的功能。SiTime的抗冲击温补晶振解决了电信，网络，精密GNSS和北斗导航通讯定位系统中根深蒂固的时序问题。SiTime抗冲击TCXO温补晶振通过将抗振动和低相位噪声与陶瓷封装相结合，替代新兴的5G和IEEE 1588同步应用中的传统石英温补晶振TCXO，同时降低功耗和尺寸。
    • 动态稳定性优于石英（约为1ppb/°C的ΔF/ΔT），抗气流和热冲击
    • -40 °C到105 °C的工作温度范围，适用于无风扇的户外设备
    • I2C数字频率调谐功能，无需外部DAC，同时减小对电路板噪声的敏感度
    • 片上电源噪声过滤，无需专用的LDO
    • 无主动突降或微跳问题
    DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm2)
    SIT5155
    10MHz - 40MHz
     ±0.5
±1
±2.5
    LVCMOS/Clipped
Sinewave
    2.5, 2.8, 3.0, 3.3
    -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 
     5.0 x 3.2
    SIT5156
     1MHz - 60MHZ 
     ±0.5
±1
±2.5
    LVCMOS/Clipped
Sinewave 
     2.5, 2.8, 3.0, 3.3 
     -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105
     5.0 x 3.2
    SIT5157
     60MHz - 220MHZ 
    ±0.5
±1
±2.5 
    LVCMOS/Clipped
Sinewave 
     2.5, 2.8, 3.0, 3.3 
    -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105
     5.0 x 3.2
    SIT5186
    1 MHz～ 60 MHz
    ±0.5
±1
±2.5 
    LVCMOS
Clipped Sinewave
    2.5
2.8
3
3.3
    -20 ～ 70 (Gr 4)
-40 ～ 85 (Gr 3)
-40 ～ 105 (Gr 2)
    5.0 x 3.2 10-pin
    SIT5187
    60 MHz ～ 220 MHz
    ±0.5
±1
±2.5 
    LVCMOS
    2.5
2.8
3
3.3
    -20 to 70 (Gr 4)
-40 to 85 (Gr 3)
-40 to 105 (Gr 2) 
    5.0 x 3.2 10-pin

    ±0.05ppm高精度温补晶振

    SiTime 的 Elite Platform™ Super-TCXO 采用DualMEMS ™架构设计，结合了三个关键元素：TempFlat MEMS™ 谐振器、MEMS 温度传感器和高度集成的混合信号 IC。SiTime高精度温补晶振内部架构结合了世界上最灵敏的温度传感器、专有温度补偿方案 (TurboCompensation™) 和低噪声频率合成器。SiTime的Elite高精度温补晶振计时解决方案提供了 30 倍的动态性能、10 倍的动态稳定性和 20 倍的抗振性（g灵敏度），可在存在常见环境危害（例如气流、温度扰动、振动、冲击、电源噪声和电磁干扰（EMI）时提供卓越的动态性能).
    Elite高精度温补晶振可提供出色的动态稳定性、超低抖动、宽频率范围和可编程性，支持 1 至 220 MHz 之间的任何频率。
    • 在环境温度和气流快速变化的情况下保持频率稳定性：
    • • 全温度范围的工作频率稳定性±100ppb；
      • 10秒平均时间的艾伦偏差（ADEV）3e-11；
      • 在每分钟10℃的超快温度时间变化率下，频率温度变化率 1 ppb/℃
    • 没有类似石英晶振的寄生模式频率扰动和微跳变；
    • 拥有0.1 ppb/g超低振动敏感度；
    • 拥有0.2 ps/mv电源噪声抑制（PSNR）；
    • 可选I2C频率编程调谐功能，无需外部DAC；
    DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm2)
    SIT5358
     1MHz ～ 60 MHz
    ±0.05
    LVCMOS
Clipped sinewave
    2.5，2.8，3.0，3.3
     0 ～ +70
-20 ～ +70
-40 ～ +85
-40 ～ +105
    5.0 x 3.2 10-pin
    SIT5359
    60MHz - 220MHz
    ±0.05(±50 ppb) 
    LVCMOS
    2.5, 2.8, 3.0, 3.3
    0 ～ +70
-20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 
    5.0 x 3.2  10-pin

    ±5ppm高精度温补差分晶振

    SiTime高精度温补差分晶振非常灵活，可靠性高。SiT5021/SiT5022是电信、网络和工业应用的理想选择。SiT5021/SiT5022这些解决方案与石英温补晶振TCXO引脚兼容，无需重新设计或改变布局即可实现100%的插入式更换。
    • 频率范围:1MHZ ~ 625MHZ
    • 支持LVPECL、LVDS和LVCMOS信号输出模式
    • 严密的频率稳定性
    • 可选电压控制，牵引范围可达±1600 ppm


    DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm2)
    SIT5021
    1MHz - 220 MHz
    ±5
    LVPECL
LVDS
    2.5,3.3
2.25 - 3.63
    -20 ～ +70 
-40 ～ +85
    3.2x2.5
5.0x3.2,7.0x5.0
    SIT5022
    220MHz - 625 MHz
     ±5
    LVPECL
LVDS
    2.5,3.3
2.25 - 3.63
     -20 - +70
-40 - +85
    3.2x2.5
5.0x3.2,7.0x5.0

    ±0.1 ppm高精度温补晶振

    SiTime基于Elite Platform™的汽车级AEC-Q100 TCXO（温补晶振）经过精心设计，以提供更高的动态性能、可靠性和稳定性，使其成为自动驾驶系统的理想选择。1至220 MHz的精密设备在-40°C至105°C的AEC-Q100 2级温度范围内具有出色的稳定性（±0.1 ppm至±2.5 ppm），解决了严酷汽车环境中根深蒂固的计时问题。
    • 动态稳定性(1 ppb/°C ΔF/ΔT)比石英好30倍，耐气流和热冲击
    • AEC-Q100等级2 -40°C至105°C工作于高温环境
    • 业界最佳g灵敏度为0.1 ppb/g
    • 10000 g时抗冲击性能更好，70g时抗振动性能更好
    • 更高的可靠性，超过10亿小时的MTBF (< 1 FIT)
    DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm2)
    SIT5356
    1MHz - 60MHz
    ±0.1
±0.2
±0.25 
    LVCMOS/Clipped
Sinewave 
    2.5, 2.8, 3.0, 3.3 
    -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 
     5.0 x 3.2
    SIT5357
    60MHz - 220MHz
    ±0.1
±0.2
±0.25
    LVCMOS/Clipped
Sinewave
    2.5, 2.8, 3.0, 3.3
    -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 
    5.0 x 3.2
    SIT5386
    1 MHz～ 60 MHz
    ±0.1
±0.2
±0.25 
    LVCMOS
Clipped Sinewave
    2.5
2.8
3
3.3
    -20 ～ 70 (Gr 4)
-40 ～ 85 (Gr 3)
-40 ～ 105 (Gr 2)
    5.0 x 3.2 10-pin
    SIT5387
    60 MHz ～ 220 MHz
    ±0.1
±0.2
±0.25 
     LVCMOS
    2.5
2.8
3
3.3
    -20 ～ 70 (Gr 4)
-40 ～ 85 (Gr 3)
-40 ～ 105 (Gr 2)
    5.0 x 3.2 10-pin
    SIT5376
       1MHz - 60MHz
     ±0.1
±0.2
±0.25
     LVCMOS
Clipped Sinewave
    1.8，2.5, 2.8, 3.0, 3.3
     -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 
     5.0 x 3.5 10-pin
    SIT5377
    60MHz - 220MHz
    ±0.1
±0.2
±0.25 
     LVCMOS
     1.8, 2.5, 2.8, 3.0, 3.3
    -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 
    5.0 x 3.5 10-pin

    ±0.005～±0.02ppm高精度温补晶振


    SiTime的±0.005～±0.02ppm温补晶振（TCXO）代表了时钟精度的尖端水平，它们是为那些对频率稳定性和时间保持有着极端要求的应用量身定制的。这些晶振能够在极端温度变化下，保持极高的频率精度，确保了在各种环境条件下都能提供稳定可靠的时间基准。


    这些高精度的TCXO通常采用精密的温度补偿机制，如先进的数字温度补偿技术，以实现在宽广的工作温度范围内，频率的微小变化被有效抑制。它们的设计旨在满足最严苛的应用需求，如高端通信系统、精密科学仪器、高精度GPS导航设备以及网络同步服务器等。


    DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm2)
    SIT5501
     1MHz - 60MHz
    ±0.01
±0.02 
    LVCMOS/Clipped
Sinewave 
    2.5, 2.8, 3.0, 3.3
 
    40 ~ +85
-40 ~ +105 
    7.0 x 5.0
    SIT5503
       1MHz - 60MHz
       ±0.005
 (±5 ppb)
      LVCMOS
Clipped sinewave
     2.5, 2.8, 3.0, 3.3  
      -20 ～ +70
-40 ～ +85
-40 ～ +95

       7.0 x 5.0 10-pin

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