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    SiTime提供了MEMS 32.768kHz振荡器和TCXO的完整产品组合。 32.768KHz有源晶振超小尺寸，µPower功耗和高精度的独特组合，使这些器件非常适合对空间敏感的电池驱动产品进行计时。 32.768KHz有源晶振具有可编程的驱动强度，可以驱动多个负载，例如BLE睡眠时钟，RTC，音频和其他连接性SOC。

    CATEGORIES

    低功耗小尺寸32.768KHz有源晶振高精度32.768KHz温补晶振1 Hz～2.5 MHz低频温补晶振1 Hz～462.5 KHz有源晶振

    低功耗小尺寸32.768KHz有源晶振

    SiTime推出的基于MEMS的32.768KHz有源晶振，具有小尺寸和低功耗，非常适合在空间和功耗至关重要的可穿戴和移动应用中替代传统的石英晶体（谐振器）。
    • 小尺寸封装：1.5x0.8毫米，CSP封装（SiT1532） 
    • 兼容标准SMD封装（2.0x1.2毫米），可直接替代石英晶振
    • 低工作电流：<1 μA
    • NanoDrive™技术，支持工厂输出幅度编程，契合低功耗应用
    • 1.2V电压稳定工作，支持纽扣电池和超级电容等供电设备
    • 输出驱动能力强，无需额外负载电容
    • 驱动多个负载，节省额外元件数量
    • 内置滤波电路，省略外部Vdd旁路电容
    • 无补偿式振荡器，拥有最佳频率稳定度：初始频率稳定度10-20PPM，全温度范围内频率稳定度75-100PPM 
    DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm2)
    SIT1533
     32.768 kHz 
    75
100
250
     LVCMOS 
     1.2 ~ 3.63 
     -10 ~ +70
-40 ~ +85 
     2.0 x 1.2 SMD
    SIT1532
      32.768 kHz
    75
100
250
      LVCMOS 
      1.2 ~ 3.63 
      -10 ~ +70
-40 ~ +85 
     1.5 x 0.8 CSP
    SIT1630
     32.768 kHz
    75
100
250
     LVCMOS 
     1.5 ~ 3.63 
     -10 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 
     2.0 x 1.2 SMD
    SIT1572
    32.768 kHz
    ±50
    LVCMOS
    1.62 ～ 3.63
    -40 ～ +85
    1.5x0.8
    SIT1573
     32.768 kHz 
     ±100
     LVCMOS 
     1.62 ～ 3.63
     -40 ～ +85
     1.5x0.8

    高精度32.768KHz温补晶振

    32 kHz温度补偿晶振（TCXO） SiTime的32 kHz TCXO系列是首个在1.2 mm²芯片级封装中提供±3 ppm稳定性的产品。典型核心供电电流低至1 μA。这些32 kHz TCXO在多个温度点上经过工厂校准，确保了极其精确的全包容频率稳定性。

    SiT1552 TCXO提供低至0.99 μA的供电电流，加上NanoDrive™可编程输出，进一步降低功耗。 SiT1566、SiT1567和SiT1580 TCXO分别提供2.5 ns、2.0 ns和1.8 ns的低集成RMS相位抖动。 SiT1580采用了最新一代的EpiSeal®技术，该技术将谐振器密封，使其对所有小分子气体不受影响，并且对外部大气元素免疫。

    DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm2)
    SIT1552
      32.768 kHz
    ±5
±10
±20
     LVCMOS 
     1.5 ~ 3.63 
     0 ~70
-40 ~ 85
     1.5 x 0.8
    SiT1568
     32.768 kHz
     ±5
    LVCMOS
    1.8
    -20 ~ +70
-40 ~ +85
     1.5x0.8
    SiT1566
    32.768 kHz
    ±3
±5
    LVCMOS
     1.62 ~ 3.63
    -20 ~ +70
-40 ~ +85
     1.5x0.8
    SiT1580
     32.768 kHz
     ±5
    LVCMOS
    1.62 ~ 1.98 
    -20 ~ +70
-40 ~ +85 
     1.5x0.8

    1 Hz～2.5 MHz低频温补晶振


    超小型、微功率、低频参考源具有灵活的频率，为空间和功率至关重要的可穿戴、移动和物联网应用提供了新的架构选择。

    • 世界上最小的振荡器:1.2 mm2 (1.5 x 0.8 mm) CSP
    • 振荡器输出驱动多个负载，消除XTALs
    • 超低功耗:100 kHz时2.5 ~ 5.5 μA
    • SiT1576 TCXO提供±5ppm的全包频率稳定性，以改善本地计时和系统功率


    DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm2)
    SIT1576
     1 Hz–2.5 MHz
     ±5
±20 
     LVCMOS
     1.62 ~ 3.63
     -20 ~ +70
-40 ~ +85 
      1.5×0.8
    SIT1811
    32.768 kHz

    ±20
    LVCMOS
Reduced Swing
    1.35 ～ 1.98
     0 ～ +70
-10 ～ +85
    1.2x1.1
    SIT1581
    1 Hz ～ 2.5 MHz
32.768 kHz
    ±50
    LVCMOS
    1.8
1.62 ～ 3.63
    -20 ～ +70
-40 ～ +85
    1.5x0.8
    SIT1579
     1 Hz ~ 2.5 MHz
     ±50
     LVCMOS
     1.62 - 3.63
     -20 ~ +70
-40 ~ +85 
     1.5×0.8

    1 Hz～462.5 KHz有源晶振

    SiT1534和SiT1569是第一款能够在1.2 mm²占地面积内实现1 Hz至462.5 kHz频率范围的微功率振荡器。在芯片级封装(CSP)中，与现有的2.0 x 1.2 mm SMD石英封装相比，这些产品将定时器件的占地面积减少了85%。与XTAL不同，SiT1534振荡器输出具有更大的组件放置灵活性，并且消除了外部负载电容器，从而节省了额外的组件数量和电路板空间。


    • 工厂可编程从1Hz到462.5 kHz
    • 振荡器输出驱动多个负载，消除XTAL
    • 频率公差<±10ppm
    • 超低功耗振荡器:<1µA
    • 占地面积小，可用1.2 mm² (1.5 x 0.8 mm) CSP


    DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm2)
    SIT1569
    1 Hz ~ 462.5 KHz
    ±50
    LVCMOS 
    1.62 ~ 3.63
    -20 ~ +70
-40 ~ +85
    1.5x0.8
    SIT1534
     16个频率
    75
100
250
    LVCMOS
    1.2 ～ 3.63 
    -10 ～ +70
-40 ～ +85
    1.5x0.8
2.0x1.2

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