频率范围 | 115MHz - 137MHz,可精确到小数点后6位 |
频率稳定性(ppm) | ±20,±25,±30,±50 |
相位抖动(ps) | 1.3ps |
输出类型 | LVCMOS |
工作温度范围(℃) | -40 ~ +105,-40 ~ +125 |
上升/下降时间(ns) | 可配置,降低EMI |
工作电压(V) | 1.8 ~ 3.3 |
封装尺寸(mm2) | 2.0x1.6,2.5x2.0,3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0 |
特点 | -40℃ ~ +125℃,可编程制程任意参数自由组合 |
状态 | 量产 |
SiT8919抗冲击宽温晶振具有0.1 ppb/g灵敏度
SiT8919抗冲击宽温晶振具有70g抗振动和50000g抗冲击性能
SiT8919抗冲击宽温晶振支持可配置驱动力强度
● 工业传感器 | ● 伺服电机 | ● 工业控制系统 | ● 高温网络设备 |
● 医疗视频CAM | ● 全球导航卫星系统 | ● 资产跟踪 | ● GPS/GNSS模块 |
功能引脚示意图 | 脚位 |
|
功能 | 说明 |
|
1 |
OE/ST/NC |
Output Enable |
H[1]: specified frequency output L: output is high impedance. Only output driver is disabled. |
Standby |
H[1]: specified frequency output
L: output is low (weak pull down). Device goes to sleep mode.
Supply current reduces to I_std.
|
|||
No Connect |
Any voltage between 0 and Vdd or Open[1]: Specified frequency
output. Pin 1 has no function.
|
|||
2 | GND |
Power |
Electrical ground[2] |
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3 |
OUT |
Output |
Oscillator output |
|
4 | VDD |
Power |
Power supply voltage[2] |
Notes:
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