SiT8209是SiTime推出的高性能、低抖动晶振,支持频率80-220MHz任意频率,可精确到小数点后6位。SiT8209超过石英晶振负载的性能,具有异常低的抖动,低相位噪声,SiT8209的抖动效能,在12KHz到20MHz范围内累计RMS相位抖动指标达到0.6ps。
SiT8209在工规温度工作范围内提供达±10 ppm的频率稳定性,由于SIT8209的设计弹性、实用性、以及高效能,在电信,存储,网络和无线应用等领域得到广泛应用。
频率范围 | 80MHz - 220MHz任意频率,可精确到小数点后6位 |
频率稳定性(ppm) | ±10,±20,±25,±50 |
相位抖动(ps) | 0.5ps |
输出类型 | LVCMOS |
工作温度范围(℃) | -20 ~ +70,-40 ~ +85 |
上升/下降时间(ns) | 可配置,降低EMI |
工作电压(V) | 1.8,2.5,2.8,3.3 |
封装尺寸(mm2) | 2.5x2.0,3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0 |
特点 | 可编程制程,任意参数自由组合 |
状态 | 量产 |
0.5ps集成RMS相位抖动(12 kHz至20 MHz)
SiT8209具有出色的频率稳定性,低至±10 ppm
SiT8209支持可配置驱动力强度
● 计算机服务器 | ● 数据中心 | ● RAID控制器 | ● 路由器 |
● 开关 | ● 电信设备 | ● SATA/SAS | ● 光纤通道 |
● SONET | ● 10G以太网 |
● DDR |
功能引脚示意图 |
脚位 |
功能 |
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说明 |
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1 | OE/ST |
Output Enable
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H or Open[2]: specified frequency output
L: output is high impedance. Only output driver is disabled
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Standby |
H or Open[2]: specified frequency output
L: output is low (weak pull down). Device goes to sleep mode. Supply
current reduces to I_std
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2 | GND |
Power |
Electrical ground[3] |
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3 | OUT |
Output |
Oscillator output |
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4 | VDD |
Power |
Power supply voltage[3] |
3. A capacitor of value 0.1 μF between Vdd and GND is recommended.
产品型号 | 规格描述 | 库存数量 | |
SIT8209AI-G1-25E-190.000000 | MHz有源晶振 SIT8209系列 190MHz 2520 ±20ppm 2.5V -40℃ ~ +85℃ | 1000 | 商城购买 |
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