SiT2020抗冲击宽温晶振采用SOT23封装,用于最佳的板级焊接接头可靠性和低成本,仅光学板级检查,SIT2020具有0.1 PPB / G振动灵敏度(G感度),50kg冲击和70g抗震性能。
SiT2020抗冲击宽温晶振提供灵活频率范围(1-110 MHz),最佳稳定度(±20 PPM)和宽温度范围(-55°C至125°C),为工业、医疗、汽车、航空电子设备和其它高温应用。
频率范围 | 1MHz - 110MHz,可精确到小数点后6位 |
频率稳定性(ppm) | ±20,±25,±30,±50 |
相位抖动(ps) | 1.3ps |
输出类型 | LVCMOS |
工作温度范围(℃) | -55 ~ +125 |
上升/下降时间(ns) | 可配置,降低EMI |
工作电压(V) | 1.8 ~ 3.3 |
封装尺寸(mm2) | SOT23-5(2.9x2.8) |
特点 | -55℃ ~ +125℃,可编程制程任意参数自由组合 |
状态 | 量产 |
SiT2020抗冲击宽温晶振具有0.1 ppb/g灵敏度
SiT2020抗冲击宽温晶振具有70g抗振动和50000g抗冲击性能
SiT2020抗冲击宽温晶振支持可配置驱动力强度
● 石油勘探钻井 | ● 功率放大器 | ● 航空航天设备 | ● 航空电子设备 |
● 工业电机 | ● 压力表 | ● 雷达 |
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功能引脚示意图 | 脚位 | 功能 | 说明 | |
![]() |
1 |
GND |
Power |
Electrical ground |
2 | NC |
No Connect |
No connect |
|
3 | OE/ST/NC |
Output Enable |
H[1]: specified frequency output L: output is high impedance. Only output driver is disabled |
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Standby |
H or Open[1]: specified frequency output
L: output is low(weak pull down). Device goes to sleepmode.Supply current reduces to I_std
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|||
No Connect |
Any voltage between 0 and Vdd or Open[1]:
Specified frequency output. Pin 3 has no function
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|||
4 | VDD |
Power |
Power supply voltage[2] |
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5 | OUT |
Output |
Oscillator output |
Notes:
1. In OE or ST mode, a pull-up resistor of 10 kΩ or less is recommended if pin 3 is not externally driven. If pin 3 needs to be left floating, use the NC option.
2. A capacitor of value 0.1 μF or higher between Vdd and GND is required.
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