SiTime的+105°C精英TCXO荣获《电子产品》杂志年度产品奖
MEMS硅晶振以最佳动态性能和30倍可靠性助力任何地方的5G发展
美国加利福尼亚州圣克拉拉市,2019年1月23日--全球领先的MEMS授时供应商SiTime公司今日宣布,其+105°C Elite Platform™ Super-TCXOs™被《电子产品》杂志评为模拟/混合信号集成电路类年度产品。
《电子产品》杂志主编 Gina Roos 说:"SiTime Elite Platform Super-TCXOs 是出色的晶振产品,具有高性能特点,包括高动态稳定性、超低抖动、宽频率范围和可编程性。“这些都是高频率、高稳定性的 TCXO,在高达 105°C 的扩展温度范围内提供 ±100-ppb 的频率稳定性,使其能够广泛应用于从网络和射频/无线到航空电子和国防,包括 5G 应用在内的高可靠性终端市场。”
《电子产品》编辑从 2018 年推出的数千种产品中选出了他们认为最杰出的产品。一如既往,评选的依据是技术或其应用方面的重大进步、设计方面的创新或性价比方面的提升。
“5G 的目标是以极低的延迟提供千兆位带宽,这就要求定时和同步性能提高 10 倍。“SiTime 营销执行副总裁 Piyush Sevalia 表示:"随着 5G 设备在不受控制的环境中更接近消费者地部署,硅晶振系统需要在振动、冲击、高温和快速热斜坡等环境干扰下保持性能。“SiTime的Elite Platform Super-TCXO超越了5G的晶振要求,使5G能够部署在任何地方。我们很荣幸《电子产品》杂志将Elite Super-TCXO的独特功能授予其享有盛誉的年度产品奖。”
关于Elite Platform Super-TCXOs
Elite Platform Super-TCXO是业界唯一具有高达105°C的±100 ppb频率稳定性的高频(1至220 MHz)TCXO,已成功部署在许多4G+和5G系统中,Elite Platform Super-TCXO将继续重新定义TCXO的性能。
SiTime 的 Elite Platform Super-TCXO 采用新颖的 DualMEMS™ 架构设计。该架构结合了世界上最精确的温度传感器、专有的温度补偿方案(TurboCompensation™)和低噪声频率合成器,可提供出色的动态稳定性、超低抖动、宽频率范围和可编程性。
主要特性包括:
(1)-40 至 +105°C 工作温度
(2)1 至 220 MHz LVCMOS 或削波正弦波输出
(3)频率稳定性等级为 ±0.1、±0.2、±0.25 ppm
(4)抗气流和热冲击的最佳动态稳定性
(5)无活动骤降或微跳变
(6)用于过滤电源噪声的集成式 LDO
(7)TCXO、VC-TCXO 和 DC-TCXO 工作模式
(8)在额定温度范围外连续工作
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