SiTime MEMS晶振降低电磁干扰

2024-09-26 22:26:13800

降低 EMI 的时序解决方案


需要确保您的产品首次通过 EMI 合规性测试,而无需进行昂贵的重新测试、重新设计或使用机械屏蔽?


SiTime 扩频振荡器可以帮助您。


降低电磁干扰的可编程性 - 低达 30 dBm

SiTime 的扩频振荡器可对扩频类型、振幅、调制技术、输出电压摆幅和压摆率进行编程,从而提供最大的灵活性。


这些解决方案可在不影响性能的情况下解决 EMI 问题。此外,它们还能确保符合排放标准,无需进行昂贵的重新测试、麻烦的重新设计或昂贵的重新包装,从而加快了收益时间。


凭借各种可用功能(全部集中在一个小型器件中),设计人员可以快速、轻松地实现排放达标。


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请查看我们的扩频振荡器


器件

扩展类型和范围

调制类型

上升/下降时间(回转速率)

输出类型

频率范围

封装   (mm)

SiT9005

Center: ±2% max
  Down: ±-4% max

Triangular,   Hershey-Kiss

8 options,
  0.25 to 40 ns

LVCMOS

1 to 141 MHz

2.0 x 1.6, 2.5 x   2.0, 3.2 x 2.5

SiT9025(AEC-Q100)

Center: ±2% max
  Down: ±-4% max

Triangular,   Hershey-Kiss, Random

8 options,
  0.25 to 40 ns

LVCMOS

1 to 150 MHz

2.0 x 1.6, 2.5 x   2.0, 3.2 x 2.5

SiT9045(MlL-Tested)

Center: ±2% max
  Down: ±-4% max

Triangular,   Hershey-Kiss, Random

8 options,
  0.25 to 40 ns

LVCMOS

1 to 150 MHz

2.0 x 1.6, 2.5 x   2.0, 3.2 x 2.5

SiT9003

Center: ±0.5% mx
  Down: ±-1% max

Triangular

4 options,
  0.6 to 12.1 ns

LVCMOS

1 to 110 MHz

5.0 x 3.2, 7.0 x 5.0

SiT9002

Center: ±2% max
  Down: ±-4% max

Triangular

2 swing options

Differential

1 to 220 MHz

5.0 x 3.2, 7.0 x 5.0


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