SiT92113 评估板 用于评估 SiT92113 超低抖动缓冲器
SiT92113 超低抖动缓冲器评估套件用户指南
1、 简介
SiT92113 评估板设计用于评估 SiT92113,5 输出低抖动时钟扇出缓冲器,旨在用于低抖动、高频率时钟/数据分配和电平转换。
图 1. SiT92113 EVB 板
2 、特性
1) 加性抖动性能为 50 fs RMS。
2) 时钟输出之间的典型输出偏移为 30 ps。
3) 电平转换核心电源电压为 3.3 V/2.5 V/1.8 V,LVCMOS 输出驱动器的输出电源电压为 3.3 V/2.5 V/1.8 V/1.5 V。
4) 设备输入包括 1 个差分输入和晶体输入。
5) 输入由 SIT92113 的输入选择引脚编程选择。SiT92113 中的输入时钟接收器可接受 LVPECL、LVDS、LVCMOS、SSTL、HCSL 和 XTAL 波形。
6) 支持 8 MHz 至 50 MHz 的晶体频率。
7) 在晶体旁路模式下,晶体输入的过驱动频率可达 250 MHz。
3 、功能说明
SiT92113 是一款 5 输出单端时钟扇出缓冲器,具有低附加抖动,工作频率高达 250MHz。它具有一个 2:1 输入多路复用器,带一个可选晶体振荡器输入和五个 LVCMOS 输出。输入选择和输出缓冲模式通过引脚绑扎控制。该器件采用 24 引脚 QFN 封装。
图 2. 功能图
3.1. VDD 和 VDDO 电源
SiT92113 具有独立的 3.3/2.5/1.8 V 内核 (VDD) 和 3.3/2.5/1.8/1.5 V 输出电源 (VDDO)。输出电源工作电压为 2.5/1.8/1.5 V,因此功耗更低,输出电平与 2.5/1.8/1.5 V 接收器兼容。输出电平 LVCMOS (VOH) 参考其各自的 VDDO 电源。
3.2. 时钟输入
输入时钟可从时钟输入或 OSCIN 中选择。时钟输入选择由 SEL 输入控制,如表 1 所示。
表 1. 输入时钟选择
3.3. 时钟状态(输入状态与输出状态)
表 2. 输入与输出阶段
3.4. 输出启用
将 OE 拉至低电平,可在输入信号的下一个下降沿后强制输出进入高阻抗状态。只要 OE 为低电平,输出就保持高阻抗状态。OE 信号与所选输入时钟内部同步。这样就能在输入时钟下降沿以无间隙的方式禁用输出时钟。
表 3. OE 功能
4 、电源连接
SiT92113 缓冲器有两个电源 VDD 和 VDDO。VDDO 电源是输出 LVCMOS 驱动器的专用电源。VDDO 电源可以是 3.3 V+/-5%、2.5 V+/-5%、1.8 V+/-10%、1.5 V+/-10%。VDD 电源专用于输入时钟接收器、时钟分配单元和 SIT92113 内部的 XO。该电源独立于 VDDO。VDD 电源可在 3.3 V+/-5%、2.5 V+/-5% 和 1.8 V +/- 5% 之间变化。
VDD 和 VDDO 电源可按表 4 设置。
表 4 SiT92113 EVB 的电源连接
将 USB 电缆从个人电脑/笔记本电脑的 USB 端口连接到 EVB 的 USB 接口。连接 USB 后,用户可以看到 LED D4 和 D5 发光。SiT92113 将使用板载 LDO 在 VDD=VDDO = 3.3 V 时启动。如表 5 所示,可使用跳线设置将 LDO 编程为不同的电压电平。
表 5. 设置 VDD 电源电压
注释:
1) 1. 请参见图 11。跳线 J2 的连接示意图 1 VDD(输入侧电源)。
2) 2. 在 EVB 的默认配置中,使用 U1 LDO 将 VDD 输出设置为 3.3 V。
表 6. 设置 VDDO 电压
注释
1) 1. 请参见图 12。示意图 2 VDDO(输出端电源)跳线 J14 连接。
2) 2. 在 EVB 的默认配置中,VDDO 输出通过 U4 LDO 设置为 3.3V。
3) 3. 3. 选择 LDO 反馈电阻以支持 3.3、2.5 和 1.8V VDDO 工作。
表 7. 设置 VDD_AUX 电压
注释:
1) 1. 请参见图 13。跳线 J56 连接的示意图表 3 辅助电源。
2) 2. VDD_AUX 是电平转换器输出的电源,用于自动控制输入时钟选择和输出使能。
3) 3. 保持 VDD = VDD_AUX 4.
4) 4. 在 EVB 的默认配置中,使用 U8 LDO 将 VDD_AUX 设置为 3.3V。
5 、在 EVB 中设置输入时钟选择和输出使能
表 8 列出了控制输入时钟选择和输出使能的跳线设置。
表 8. 控制时钟选择和输出使能的跳线设置
注释:
1) 输入时钟选择编程如下。输入时钟选择编程:1'b0 - clock0,1'b1 - XO
2) 请参阅图 16。跳线 J68、J67 连接的示意图表 6 FTDI 至 DUT 映射。
3) OE 编程如下。OE 编程:1'b0 - 输出禁用,1'b1 - 输出启用 4.
4) 请参见图 16。跳线 J70 连接的示意图 6 FTDI 至 DUT 映射。
5) J69 应始终保持默认状态:位于引脚 2 和引脚 3 之间。
6) 标有 JVDD1、JVDD2、JVDD3、Diag 的跳线应保持默认状态:浮动。
7) J8 应保持默认状态:位于引脚 1 和引脚 2 之间,以便为板载 LDO 供电。
6、输入时钟配置
输入时钟采用交流耦合,并以差分 100 Ω 端接。因此,如图 17 所示,EVB 配置为差分输入时钟。
图 3. 输入时钟配置
7 、配置单端交流耦合输入时钟
许多应用要求缓冲器接收单端输入时钟。因此,需要对 EVB 做一些最小的改动,以实现单端操作。
7.1. 使用 LVCMOS 驱动器驱动时钟输入(交流耦合)
对于较大的单端输入信号,如 3.3 V 或 2.5 V LVCMOS,应在输入端附近放置一个 50 Ω 负载电阻,用于信号衰减以防止输入过载,并用于线路终端以尽量减少反射。单端输入压摆率应尽可能高,以减少性能下降。时钟输入的内部偏置电压约为 (VDD-0.3)/2 V,因此输入可采用交流耦合,如图 4 所示。LVCMOS 驱动器加上 Rs 的输出阻抗应接近 50 Ω,以匹配传输线和负载终端的特性阻抗。
图 4. 单端 LVCMOS 输入,交流耦合
使用 LVCMOS 驱动器驱动时钟输入时的 EVB 变化(交流耦合,单端)
表 9 列出了电路板的更改:
表 9. 支持单端交流耦合 LVCMOS 所需的电路板组件变更
8 、为直流耦合输入 LVCMOS 时钟配置 EVB
8.1. 使用 LVCMOS 驱动器驱动时钟输入(直流耦合)
单端时钟可以直流耦合到 SiT92113 缓冲器。如果要驱动 CLK0,则必须使用电阻分压器设置 nCLK0 电压,以匹配直流耦合单端时钟的共模。如图 5 所示。
图 5. 直流耦合单端 CMOS 输入时钟
8.2. 使用 LVCMOS 驱动器驱动时钟输入的 EVB 变化(直流耦合、单端)
案例 1: 让我们来看看一个 LV O 驱动器(阻抗为 5 Ω)驱动位于 SIT92113 输入端的 5 Ω 负载的情况。假设 LVCMOS 驱动器的电源电压为 1.8 V,则芯片输入端的时钟摆幅为 0.9 Vpp。我们要将基准节点的基准电压设置为 0.45 V。选择 VCC = 1.8 V,Rs2 = 3Rs1,Rs1 和 Rs2 应在千欧范围内。因此,如果我们设置 Rs1 = 3K,Rs2 = 1K。
表 10. 支持单端直流耦合 LVCMOS 所需的 EVB 板更改
案例 2:如果负载是纯电容性的,那么我们只需在参考节点上安装 0.1 uF 电容器,使其浮动。参考节点内部偏置为 VCC/2。
图 6. 单端 LVCMOS 输入,直流耦合 电容性负载
表 11. 驱动纯电容性负载的单端直流耦合
9 、驱动差分 LVDS 或 LVDS 升压(交流耦合)
输入端有一个 100 Ω 的差分电阻,为 LVD 或 LVD 升压提供电流通路。1 信号之后是 0.1 uF 的交流耦合电容。因此,无需改变电路板配置。
图 7. LVDS 或 LVDS 升压交流耦合
10 、驱动直流耦合 LVDS 的电路板配置
10.1. LVDS (直流耦合)
用一个尽可能靠近接收器的差分 100 Ω 端接。如图 8 所示。
图 8. 直流耦合 LVDS 的终端方案
10.2. 直流耦合 LVDS 所需的电路板改动
表 12. 直流耦合 LVDS 或 LVDS 升压所需的电路板改动
11 、驱动 DC/AC 耦合 LVPECL 所需的电路板配置
11.1. 直流/交流耦合 LVPECL
LVPECL 标准要求输入时钟驱动器采用直流通路。接收器上的 50 Ω 端接采用 V O2 V 偏压。VCM(VCC-2 V)需要能够承受或提供电流。可通过跳线 J90、J91 在输入时钟电路中提供 VCM。
因此,无需更改电路板,只需通过跳线 J90、J91 提供 VCM
图 9. 直流耦合 LVPECL 的终端方案
12 、EVB 快照
图 10. EVB 快照
区块 1 的跳线设置用于配置芯片 VDD,如表 5 所示,
区块 2 的跳线设置用于配置芯片 VDDO,如表 6 所示。
区块 3 的跳线设置用于配置芯片 VDD_AUX,如表 7 所示。
区块4 有跳线,用于选择时钟输入(SEL)和设置 OE(如表 8 所示)。
区块5 有 USB 端口,用于为电路板供电或选择跳线,以便使用表 4 所述的外部电源为电路板供电。
13 、电路板原理图
13.1. 原理图 1
图 11. 示意图 1 VDD(输入端电源)
13.2. 示意图 2
图 12. 原理图 2 VDDO(输出端电源)
13.3. 示意图 3
图 13. 示意图 3 辅助电源
13.4. 示意图 4
图 14. 原理图 4 USB 连接
13.5. 示意图 5
图 15. 原理图 5 FTDI 连接
13.6. 示意图 6
图 16. 原理图 6 FTDI 到 DUT 映射
13.7. 示意图 7
图 17. 原理图 7 输入 Clk0
13.8. 示意图 8
图 18. 原理图 8 DUT 连接
- MEMS振荡器为何具有较高的耐久性和可靠性2024-07-19 15:01:537500
- 深入了解MEMS辅助温度传感器为何具有 20-µK 分辨率2024-07-18 10:39:036000
- SiTime具有 40 μK 分辨率的DualMEMS 谐振器时间数字转换器2024-07-17 11:21:013600
- 深入分析低带宽锁相环的高稳定性为何受控振荡器影响2024-07-16 18:02:338500
- ±0.01ppm高精度温补振荡器SiT5501如何改变边缘网络的精确计时市场2024-01-17 00:00:008870
- ±0.1ppm高精度温补振荡器SiT7910如何为航空航天和国防提供25倍精准计时2023-03-17 10:38:231433227
- 汽车级晶振选型设计指南2022-06-28 09:14:544800
- SiTime硅晶振在SSD存储中的应用2022-05-23 09:51:424400
- 示波器的两个最重要参数之示波器宽带和采样率详解2022-04-02 13:32:204000
- SiTime推出高性能XCalibur™有源谐振器SiT14082022-02-08 09:47:597922
- 汽车级晶振为自动驾驶ADAS保驾护航2021-08-20 13:39:175784