是的。

具有单端LVCMOS输出的MEMS硅晶振通常指定为上升和下降时间的15 pF容性负载。该器件可以驱动更大的负载，最高可达60pf，上升和下降时间较慢。对于需要快速上升和下降时间(~ 1ns)和驱动大容性负载的应用，可根据要求提供具有高驱动强度输出的缓冲装置。