LVCMOS振荡器的数据表提供特定频率的IDD,如何估算其他频率的IDD?
2024-01-25 11:37:293500
输出频率F1处的空载电流消耗可以通过以下公式估算:
IDD_NL_F1 = IDD_NL_F0 + CINT·VDD·(F1 - F0)
其中,IDD_NL_F1表示频率F1处的空载电流消耗,IDD_NL_F0表示数据表中频率F0处规定的空载电流消耗,VDD是电源电压,CINT是内部电容,其典型值为6.5 pF,最大值为8 pF。
对于SiT1602、SiT8008/9、SiT1618、SiT8918/9、SiT8920/1/4/5系列,CINT的典型值为12 pF,最大值为14 pF。
对于SiT8208/9、SiT8225、SiT8256、SiT3807/8/9、SiT3701和SiT8102系列,可以根据公式进行相应的调整。在实际应用中,建议进行实际测量以获得准确的空载电流消耗值。
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