美国加利福尼亚州森尼韦尔市（SUNNYVALE）— 2015年10月7日 — MEMS和模拟半导体公司SiTime公司（SiTime Corporation）今天宣布，莱迪思半导体（Lattice Semiconductor）已将其高性能SiT9120和SiT8256振荡器用于其ECP5™ Versa FPGA开发板。SiT9120差分振荡器可用来驱动板上DDR3内存，而SiT8256振荡器可反馈（feed）Lattice的ispClock™ 器件，这个可编程PLL可驱动板上的多个功能。莱迪思半导体也在其HDR-60摄像机开发套件（HDR-60基板和NanoVesta headboard）及其iCE40 UltraLite™ 附加电路板上使用了低功耗SiT1602振荡器。

    SiTime市场营销执行副总裁Piyush Sevalia表示：“SiTime已成为致力于提供高性能、功能丰富、具有灵活性的解决方案的领导者，帮助客户简化开发和快速提供差异化的产品——这与 Lattice的目标不谋而合。由于SiTime提供了一流的性能和无与伦比的可靠性、可配置性和供货能力，Lattice在其高端FPGA板上采用了我们的时钟解决。SiTime凭借提高系统性能和可靠性的基于硅MEMS的解决方案，从根本上改变了时钟行业。”

    莱迪思半导体产品市场营销总监Deepak Boppana表示：“SiTime的振荡器实现了我们的ECP5 Versa板的关键功能，加快了大批量通信和工业应用中连接设计的开发。我们的板卡需要极其精确的时钟，而SiTime的振荡器兑现了我们的关键性能优势，加上他们的超快交货时间满足了我们快速周转的要求。SiTime是Lattice生态系统内的一个关键合作伙伴，使得系统架构师能够加快设计和创新。”

    关于SiT912x和SiT82xx MEMS振荡器系列

    SiTime的MEMS振荡器设计采用了一个可编程架构，可提供广泛的功能和超短的交货时间。SiT912x差分振荡器具有LVPECL和LVDS信号电平的差分输出。SiT82xx振荡器具有LVCMOS/LVTTL兼容输出。两个振荡器系列可提供以下功能。

•     优异的频率稳定性，在工业温度范围低至10 PPM的更好的时序裕量

•     SiT912x器件的宽频率范围从1至625 MHz，SiT82xx器件为1至220 MHz

•     2.5至3.3V之间的任何电源电压（SiT82xx振荡器加上1.8V）支持一系列FPGA/处理器，无需电平转换元件

•     采用3225、5032和7050封装的行业标准占位面积（SiT82xx振荡器增加了2520封装）

•     11.4亿小时MTBF的优异硅可靠性（石英的30倍）

•     50，000g冲击和70g振动（优于石英10倍）

•     SiT82xx振荡器的可编程驱动强度可实现更低的上升/下降时间，以减少系统EMI，或增加上升/下降时间，以驱动多个负载，而无需外部缓冲器

•     现场可编程的样品可用于SiTime的Time Machine II编程器

•     SiT912x和SiT82xx已开始生产，工厂编程器件的快速交货时间为3至5周

    Lattice ECP5 Versa板上使用的SiTime器件编号

    SiT9120AC-2D2-33E100.000000

    SiT8256AI-83-33E-156.250000

    相关链接：SiTime差分晶振选型