MEMS振荡器包含一个MEMS谐振器和一个可编程的振荡电路。通过芯片堆叠和倒装处理把两者结合在一块，最后进行工业级塑料封装或芯片封装。

MEMS振荡器中的TempFlat技术

如图所示，MEMS谐振器与模拟震荡电路中MEMS特定的电路模块相连接，通过静电力激振。MEMS偏压源为装在MEMS芯片上的静电传感器提供偏压，谐振器的谐振电路使其产生机械振动。
在模拟振荡电路中通过分数分频锁相环电路来输出频率。在大多数系列中，频率输出驱动器可根据传输线的阻抗调整输出强度以降低系统EMI。芯片上的非易失性编程存储器用于存储配置参数。

SiTime公司最新推出的TempFlat™ MEMS技术在SiT15xx 32 kHz 系列中首次被应用，使其大大减少了对温度补偿电路的需求。实现了模拟振荡电路的最优化，系统尺寸的最小化以及功耗的最低化。在其他一些MEMS振荡器系列中，用来温度补偿的功能模块已完全被移除（如上图所示）。针对精度要求< ±25 PPM的应用需求，SiTime推出超性能 XOs、XOs、VCXOs和TCXOs振荡器，增加了温度传感器和温度-数字转换器（如下图所示），采用分数分频锁相环技术，最终实现温度补偿。

MEMS振荡器中的温度补偿技术

 SiTime公司早在2007年就向业界证明了单芯片MEMS解决方案的强大。

 百尺竿头更进一步，SiTime又推出双芯片MEMS+模拟电路的解决方案，优势更为明显：

 . 更优化的工艺提供更高的性能和更卓越的可靠性
 . MEMS芯片比模拟芯片要小的多，原材料硅的利用率提高，生产成本大大降低
 . 国际标准工艺及设备，缩短供货周期

 . 约2.5亿片以上器件的发货量，占有80%的市场份额