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    • 1Hz-26MHz低功耗高精度小尺寸有源晶振

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    SiTime 提供覆盖 1Hz 至 26MHz 的 MEMS 有源晶振及低频时钟解决方案，产品系列涵盖 32.768kHz 有源晶振、32.768kHz 温补晶振（TCXO）以及多种低频至 Hz 频段的 MEMS 振荡器。凭借 1.2 mm² 芯片级封装（1.5×0.8 mm）的超小尺寸、低至 <1 µA 的超低功耗，以及低至 ±3 ppm 的全包频率稳定性，这些器件专为空间与功耗同时受限的电池驱动系统设计，是替代传统石英晶体谐振器的首选 MEMS 硅晶振方案。

    与石英晶振方案相比，SiTime µPower MEMS 振荡器功耗降低高达 90%，占板面积缩小高达 80%。部分型号支持 NanoDrive™ 可编程输出驱动强度，可单器件驱动 BLE 低功耗及休眠时钟、RTC 实时时钟、音频编解码器及多路连接 SoC 等负载，减少外部负载电容及外围元件，进一步压缩 BOM 与 PCB 空间。产品提供多种频率范围、频率稳定度、供电电压、输出类型和封装尺寸选择，适用于可穿戴设备、移动终端、物联网（IoT）、无线连接设备及电池供电系统等对时钟精度、功耗和 PCB 空间要求严格的场景。

    CATEGORIES

    低功耗小尺寸32.768KHz有源晶振高精度32.768KHz温补晶振1Hz～26MHz低功耗小尺寸MEMS有源晶振

    低功耗小尺寸32.768KHz有源晶振

    SiTime 32.768kHz MEMS振荡器提供多种封装尺寸和输出配置选择，其中部分型号采用仅1.5 × 0.8mm的CSP芯片级封装，工作电流低至1μA以下，满足智能穿戴、蓝牙低功耗（BLE）、物联网（IoT）及便携式电子产品对小型化和低功耗的严苛要求。通过NanoDrive™可编程输出驱动技术，可灵活调整输出信号摆幅，在满足时钟驱动需求的同时进一步降低功耗。

    与传统无源石英晶体不同，32.768kHz MEMS有源晶振可直接提供时钟输出信号，无需额外配置外部负载电容。部分型号还支持多负载驱动，可同时为BLE睡眠时钟、RTC实时时钟、低功耗MCU及其他系统时钟输入提供稳定的时钟参考，减少外围元件数量，简化PCB布局设计。

    • 超小尺寸封装： 提供1.5 × 0.8mm CSP及2.0 × 1.2mm SMD等多种封装选择，有效节省PCB空间，适合高集成度、小型化电子设备
    • 超低功耗设计： 部分型号工作电流低至1μA以下，帮助延长电池供电设备的续航时间，适用于长期待机及低功耗应用
    • NanoDrive™可编程输出技术： 支持工厂编程输出摆幅，可根据实际负载优化时钟驱动功耗，相比标准LVCMOS输出有助于降低功耗
    • 灵活的供电电压： 部分型号支持1.2V低电压工作，适用于纽扣电池、超级电容备份及其他低压供电系统
    • 稳定可靠的时钟性能： 提供多种频率稳定度规格，可根据不同应用需求选择合适的时钟精度和工作温度范围
    • 多负载时钟驱动： 有源时钟输出可驱动多个时钟输入，减少传统石英晶体所需的外部负载电容及相关外围元件
    DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm2)
    SIT1533
     32.768 kHz 
    75
100
250
     LVCMOS 
     1.2 ~ 3.63 
     -10 ~ +70
-40 ~ +85 
     2.0 x 1.2 SMD
    SIT1532
      32.768 kHz
    75
100
250
      LVCMOS 
      1.2 ~ 3.63 
      -10 ~ +70
-40 ~ +85 
     1.5 x 0.8 CSP
    SIT1630
     32.768 kHz
    75
100
250
     LVCMOS 
     1.5 ~ 3.63 
     -10 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 
     2.0 x 1.2 SMD
    SIT1811
    32.768 kHz

    ±20
    LVCMOS
Reduced Swing
    1.35 ～ 1.98
     0 ～ +70
-10 ～ +85
    1.2x1.1
    SIT1572
    32.768 kHz
    ±50
    LVCMOS
    1.62 ～ 3.63
    -40 ～ +85
    1.5x0.8
    SIT1573
     32.768 kHz 
     ±100
     LVCMOS 
     1.62 ～ 3.63
     -40 ～ +85
     1.5x0.8

    高精度32.768KHz温补晶振

    SiTime高精度32.768kHz温补晶振（TCXO）采用先进的MEMS硅晶振技术与温度补偿技术，在仅1.2mm²（1.5 × 0.8mm）的超小型CSP芯片级封装中实现最高±3ppm的频率稳定度，典型核心供电电流低至1μA。为RTC实时时钟、精准计时及低功耗电子系统提供稳定可靠的32.768kHz时钟参考。
    该系列提供SiT1552、SiT1566、SiT1568和SiT1580等多种32.768kHz温补晶振型号，具有不同的频率稳定度、供电电压和工作温度范围。其中，SiT1566支持最高±3ppm的频率稳定度，适用于对计时精度要求较高的应用；SiT1552兼顾超低功耗与灵活的输出驱动配置；SiT1580采用新一代EpiSeal®密封技术，对MEMS谐振器进行气密性保护，有效隔绝小分子气体及外部大气环境因素，提升产品长期工作的稳定性与可靠性。


    • 高精度温度补偿： 采用MEMS温度补偿技术，通过多个温度点进行工厂校准，提供最高±3ppm的全温度范围频率稳定度，有效降低环境温度变化对时钟精度的影响。
    • 超小尺寸CSP封装： 采用1.5 × 0.8mm芯片级封装，面积仅1.2mm²，在实现高精度温度补偿的同时节省PCB空间，适合可穿戴设备及高集成度电子产品。
    • 超低功耗设计： 典型核心供电电流低至1μA，SiT1552最低可达0.99μA，有助于延长电池供电设备的续航时间，适用于长期待机及低功耗计时系统。
    • NanoDrive™可编程输出： SiT1552支持NanoDrive™可编程输出技术，通过优化输出信号摆幅和驱动能力，进一步降低时钟输出功耗。
    • 低相位抖动性能： 部分型号具有优异的集成RMS相位抖动表现，其中SiT1566和SiT1580分别提供2.5ns和1.8ns的原厂标称指标，满足对时钟信号质量要求较高的应用。
    • 宽温度范围工作： 提供多种工作温度范围选择，部分型号支持-40℃至+85℃，满足不同环境下的电子设备时钟应用需求。
    • EpiSeal®高可靠性技术： SiT1580采用新一代EpiSeal®密封技术，对MEMS谐振器进行密封保护，增强对小分子气体及外部环境因素的防护能力，提升长期频率稳定性。



    DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm2)
    SIT1552
      32.768 kHz
    ±5
±10
±20
     LVCMOS 
     1.5 ~ 3.63 
     0 ~70
-40 ~ 85
     1.5 x 0.8
    SIT1568
     32.768 kHz
     ±5
    LVCMOS
    1.8
    -20 ~ +70
-40 ~ +85
     1.5x0.8
    SIT1566
    32.768 kHz
    ±3
±5
    LVCMOS
     1.62 ~ 3.63
    -20 ~ +70
-40 ~ +85
     1.5x0.8
    SIT1580
     32.768 kHz
     ±5
    LVCMOS
    1.62 ~ 1.98 
    -20 ~ +70
-40 ~ +85 
     1.5x0.8

    1Hz～26MHz低功耗小尺寸MEMS有源晶振


    SiTime 1Hz～26MHz低功耗小尺寸MEMS有源晶振，采用先进的MEMS硅晶振技术，产品专为可穿戴设备、移动终端、物联网（IoT）及其他对PCB空间和系统功耗有严格要求的电子设备设计，具有频率配置灵活、封装小巧、功耗低和时钟输出稳定等优势，为低功耗电子系统提供高集成度的时钟参考方案。部分型号采用仅1.2mm²（1.5 × 0.8mm）的CSP芯片级封装，能够显著减少PCB占用空间。SiT1569是1Hz～462.5kHz超低频振荡器、SiT1576、SiT1579和SiT1581是1Hz～2.5MHz温补晶振（TCXO），SiT8021是1MHz～26MHz低功耗MEMS振荡器。不同产品针对频率、功耗和时钟精度需求提供灵活选择，部分型号在100kHz时功耗仅为2.5～5.5μA，SiT8021在3MHz时有源功耗低至0.1mW。
    与传统石英晶体谐振器方案相比，MEMS有源振荡器可直接输出时钟信号，无需额外配置传统石英谐振器所需的外部负载电容，部分型号还能够驱动多个时钟负载，减少外围元件数量，简化PCB布局和时钟电路设计。此外，SiT1576 TCXO可提供±5ppm全包频率稳定度，满足对计时精度要求较高的应用；SiT1581采用EpiSeal®密封技术，增强MEMS谐振器对外部环境因素的防护能力。


    • 宽频率范围与灵活配置： 提供1Hz～26MHz等多个频段，支持多种标准频率和可编程频率配置，满足不同应用的时钟需求
    • 超小尺寸CSP封装： 部分型号采用1.5 × 0.8mm CSP封装，面积仅1.2mm²，有效节省PCB空间，适合高集成度及小型化电子产品
    • 低功耗设计： 针对电池供电和低功耗电子系统优化，部分产品在100kHz时功耗仅为2.5～5.5μA，SiT8021在3MHz时有源功耗低至0.1mW，有助于降低系统整体能耗
    • 高精度温补时钟选择： SiT1576 TCXO提供±5ppm全包频率稳定度，适用于对频率精度和本地计时性能有较高要求的电子设备
    • EpiSeal®高可靠性技术： SiT1581采用先进EpiSeal®密封技术，对MEMS谐振器进行气密性保护，增强对外部环境因素的防护能力

    DeviceDatasheetFrequencyStability(PPM)Output TypeSupply Voltage(V)Temp. Range(°C)Package Size(mm2)
    SIT1576
     1 Hz–2.5 MHz
     ±5
±20 
     LVCMOS
     1.62 ~ 3.63
     -20 ~ +70
-40 ~ +85 
      1.5×0.8
    SIT8021
    1 MHz - 26 MHz
    ±50
±100
    LVCMOS
    1.8
2.25~3.63
    -20 ~ +70
-40 ~ +85
    1.5  x 0.8
    SIT1581
    1 Hz ～ 2.5 MHz
32.768 kHz
    ±50
    LVCMOS
    1.8
1.62 ～ 3.63
    -20 ～ +70
-40 ～ +85
    1.5x0.8
    SIT1579
     1 Hz ~ 2.5 MHz
     ±50
     LVCMOS
     1.62 - 3.63
     -20 ~ +70
-40 ~ +85 
     1.5×0.8
    SIT1569
    1 Hz ~ 462.5 KHz
    ±50
    LVCMOS 
    1.62 ~ 3.63
    -20 ~ +70
-40 ~ +85
    1.5x0.8
    SIT1534
     16个频率
    75
100
250
    LVCMOS
    1.2 ～ 3.63 
    -10 ～ +70
-40 ～ +85
    1.5x0.8
2.0x1.2

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