4-16A（相位抖动）用于量化时钟信号在 4 MHz 至 16 MHz 偏移频率范围内的授时变化。其测量条件为：一阶高通滤波器（HPF）拐点频率 4 MHz，一阶低通滤波器（LPF）拐点频率 16 MHz，并考虑混叠效应。

2-10A（相位抖动）用于测量时钟信号在 2 MHz 至 10 MHz 偏移频率范围内的短期授时变化。其测量条件为：一阶高通滤波器（HPF）拐点频率 2 MHz，一阶低通滤波器（LPF）拐点频率 10 MHz，并考虑混叠效应。

VCTCXO是一种将温度补偿晶体振荡器（TCXO）与控制电压引脚结合在一起的设备，可让输出频率在标称频率附近变化。VCTCXO的频率调节范围通常为±5ppm至±25ppm。一些供应商将这些设备称为TCVCXOs。

VCXOs包含一个控制电压引脚，用于在标称频率附近控制输出频率。频率控制的程度称为控制范围，通常为±50ppm至±200ppm，但SiTime VCXOs的控制范围可扩展至±3200ppm。VCXO通常用于消除离散抖动和进行时钟恢复应用。

OCXO通过在加热的外壳中包含温度传感器和补偿电路来提供温度补偿和恒温功能，以在环境温度变化时保持振荡器的几乎恒定温度。这些设备将谐振器以及温度传感器和补偿电路封装在加热的外壳中。温度补偿晶体振荡器(TCXO)或温度补偿振荡器 TCXO是一种将温度补偿集成到振荡器中的设备，用于补偿谐振器的频率随温度的变化特性。这种补偿使TCXOs的频率稳定性优于未补偿的振荡器(XOs)。TCXOs的频率稳定性范围为±0.05ppm至±5ppm。这些设备用于需要精密定时参考的应用，如高性能电信和网络设备。

DCTCXO是将DCXO的频率调整和编程功能与TCXO相结合的设备。

DCXO与VCXO类似，两种设备都允许调整频率。在某些情况下，DCXO具有将输出频率编程到比有限的调整范围更宽的范围的能力。与VCXO相比，DCXO的不同之处在于，频率是通过I2C或SPI等串行接口上的数字控制字来调整的。

振荡器是一种将谐振器和振荡器电路集成到单个封装中的主动设备。振荡器不需要外部组件来生成时钟信号。尽管在某些情况下，可能需要电源去耦组件和/或终止电阻。在某些地区，XOs被称为OSC或SPXO（简单封装晶体振荡器）。XOs的典型频率稳定性范围为±10至±100ppm。单端振荡器的最小引脚数为三个引脚，用于电源、地和振荡器输出。然而，振荡器通常至少有四个引脚，以容纳输出使能或其他控制功能。差分振荡器通常采用六引脚封装。包含I2C等串行接口控制功能的某些振荡器采用10引脚或更高引脚数封装。XO的频率稳定性通常在±10ppm至±100ppm之间，通常以以下封装形式提供：7050、5032、3225、2520和2016。

晶体是一种固定频率振动的被动谐振器。晶体用于作为集成了振荡器电路（即片上产生）的半导体IC的外部时钟参考。

电压输出高/电压输出低（VOH/VOL）是时钟输出的高、低电压水平。

三态是输出通常在关闭输出驱动器并停止产生时发生的高阻抗输出状态。

参见拉出范围

热滞后是温度特性的上循环频率与下循环频率之间的差异，并以温度差异达到最大值时的差异值来量化。热滞后对于如TCXO和OCXO等高精度振荡器来说尤其重要，因为它会消耗整体频率稳定性预算的相当大的一部分。

热滞后的原因尚未完全理解，可能与谐振器安装结构的应变变化、封装内的污染物重新分布以及温度传感器与谐振器之间的热梯度有关。由于振荡器与温度传感器之间的热滞后可以忽略不计，并且由于晶圆级封装，谐振器上的污染物水平极低（以十亿分之几（ppb）计），因此SiTime TCXO在-40°C至105°C的温度范围内通常具有业内最低（最佳）的热滞后，通常为±15 ppb。

供电电压（以伏特（V）为单位）是指操作振荡器所需的输入功率。供电电压通过VDD引脚为振荡器供电，有时也被称为VDD。单端振荡器的标准电压包括1.8、2.5和3.3V。现代差分振荡器的电压通常在2.5至3.3V之间。SiTime提供可在硬币电池或超级电容后备供电的低至1.2V的振荡器，用于受控供电应用。大多数SiTime振荡器家族的供电电压可编程，这减少了对诸如电平转换器或电压调节器等外部组件的需要。

供应电流是振荡器的最大工作电流。它以微安（µA）或毫安（mA）为单位，在最大和有时是标称供电电压下测量。典型的供应电流是在无负载的情况下测量的。

启动时间是从向振荡器施加电源电压（VDD）（90%）开始到输出时钟周期开始的这段时间。

待机模式是一种低功耗模式，其中大多数内部电路完全关闭，振荡器不产生任何输出频率。通过将数字控制输入引脚设置为适当的状态来启动该模式。

焊盘布局（SPL）是指振荡器放置的印刷电路板着陆垫的布局。下图显示了一个6引脚7050振荡器封装（7.0毫米x5.0毫米）的SPL示例。

与差分输出相反，单端输出仅包含一个输出时钟，通常是LVCMOS，其摆幅约为轨到轨（0V至VDD）。单端输出是最常见的振荡器输出类型。

上升/下降时间是指输出信号的上升沿和下降沿的持续时间，通常是在输出信号水平的20%至80%或10%至90%之间测量得到的。下图显示了单端输出中从10%至90%的上升沿和下降沿的定义。

Retrace 是振荡器在连续多个功率周期之间的频率误差。它显示在去除功率一段时间后再将其施加到设备上时，振荡器如何返回到相同的绝对频率。Retrace 对精密振荡器（如 OCXOs）尤其重要。Retrace 的成因尚未完全理解，可能与谐振器的安装结构中的应变变化和封装内的污染物重新分布有关。由于封装内的污染物水平极低（以十亿分之几（ppb）计），SiTime TCXOs 的 Retrace 通常低于±10 ppb，在行业内处于最低（最好）水平。

品质因数与振荡器每周期存储的能量与消耗的能量之比成正比，如下方程所示。Q = 2π 每周期储存的能量 每周期损耗的能量 Q 值越高，代表更好的、更低阻尼的振荡器，因为每周期损失的能量更少。 Q 值对载波相位噪声有影响，Q 值越高，相位噪声越低（越好）。AT 切割石英谐振器的 Q 值在 10,000 到 100,000 之间。SiTime MEMS 谐振器的典型 Q 值为 150,000。

可牵引性是指从标称频率值在窄范围内控制或牵引振荡器输出频率的能力。典型的频率控制方法是向控制电压输入引脚施加控制电压来控制VCXO。DCXO（数字控制晶体振荡器）可以通过I2C或SPI等串行接口编写数字控制字来牵引频率。振荡器的可牵引范围从±5 ppm到±3200 ppm不等。

总牵引范围和绝对牵引范围 总牵引范围（PR）是指在正常条件下，改变控制电压的最大范围所导致的频率偏移量。绝对牵引范围（APR）是指电压控制振荡器在所有环境和老化条件下可保证控制的频率偏移范围。

拉出线性是决定压控振荡器（VCXO）质量的特性之一。VCXO的频率响应对控制电压的变化应为一条直线，这是理想的情况。拉线性度衡量实际特性与理想直线之间的偏差程度。其定义为频率误差与总偏差的比值，以百分比表示，其中频率误差为输出频率与控制电压的“理想直线”（通过输出频率与控制电压的图表绘制的直线）的最大偏差。

在振荡器中，相位噪声是指时钟信号相位的快速、短期、随机波动，由时域不稳定性引起。相位噪声L[f]以相对于载波功率（dBc）每1Hz带宽的形式表示。它与相位波动的频谱密度S(f)有关，L[f] = 10log[0.5S(f)]（美国联邦标准1037°C，电信术语词典）。换句话说，相位噪声是时域中表现为时钟抖动的频率域度量。以下是SiTime SiT9365振荡器的相位噪声图，突出显示了与相位噪声相关的关键信息。

周期抖动是指在随机选择的多个周期中（JEDEC JESD65B）时钟信号的周期时间偏差。建议的最小样本大小为10000个周期。获取和计算周期抖动的过程如下。1. 1. 测量一个时钟周期的持续时间（上升沿到上升沿）。 2. 等待一个随机数量的时钟周期。 3. 重复上述步骤10000次。 4. 从10000个样本中计算平均值、标准偏差（σ）和平均峰峰值。 相关术语：周期间（C2C）抖动、集成相位抖动（IPJ）、长期抖动、相位噪声

这些是相对于标称频率的相对频率单位。1 ppm意味着相对于标称频率的1/106部分。1 ppb意味着相对于标称频率的1/109部分。  

振荡器通常采用工业标准的封装尺寸。尽管供应商之间的焊盘布局和相应的焊盘布局可能不同，但总体的x-y尺寸是标准化的。XO、TCXO和VCXO的标准封装尺寸如下：

2016：2.0 x 1.6 mm 

2520：2.5 x 2.0 mm 

3225：3.2 x 2.5 mm 

5032：5.0 x 3.2 mm 

7050：7.0 x 5.0 mm 

OCXOs采用显著更大的封装，尺寸范围从9.7 x 7.5 mm到135 x 72 mm。常见的OCXO封装尺寸为25.4 x 25.4毫米。

工作温度范围是指在数据表中所有振荡器参数都处于该范围内的温度范围。以下是一些常见的温度范围：  

商业级、汽车级4：0°C至70°C 

扩展商业级：-20°C至70°C 

工业级、汽车级3：-40°C至85°C 

扩展工业级、汽车级2：-40°C至105°C 

汽车级1：-40°C至125°C 

军事级：-55°C至125°C 

汽车级0：-40°C至150°C

平均故障间隔时间（MTBF）是指振荡器故障之间的预期时间。基于石英的设备通常具有数百万小时的MTBF。SiTime振荡器的MTBF超过10亿小时。衡量质量的另一个指标是故障时间（FIT）率，即在一定时间单位（如数百万小时或数十亿小时）内发生的故障数量。有关更多信息，请参见SiTime可靠性计算应用说明。

微机电系统（MEMS）是一种微型设备的制造技术，其中包含移动部件。在某些地区，该技术被称为微机械或微系统技术。MEMS起源于用于制造半导体器件的工艺技术。因此，硅是最常用的MEMS组件制造材料。MEMS技术在包括加速度计、陀螺仪、麦克风和各种传感器在内的众多商业应用中得到广泛应用。MEMS自2007年以来已作为石英晶体谐振器的替代品投入商业使用，并已实现大规模生产。有关更多信息，请参见SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺技术论文。

低压正发射极耦合逻辑（LVPECL）是一种常见的振荡器差分输出格式。其电压摆幅约为800 mV，差分交叉点约为2V。LVPECL常用于对噪声要求较高的应用，如网络交换机、路由器、无线基站和电信传输系统。LVPECL的关键特性是恒定电流源驱动器和晶体管不会进入饱和状态，这对于降低噪声和实现快速开关速度至关重要。下图显示了典型的差分LVPECL波形。请参阅相关术语：HCSL、LVDS。

长期抖动衡量的是在连续多个时钟周期中时钟特征偏离理想位置的程度。这有效地衡量了连续多个时钟周期的持续时间如何偏离其平均值。相关术语：周期到周期（C2C）抖动、集成相位抖动（IPJ）、周期抖动、相位噪声。

在振荡器的范围内，“负载”通常指由振荡器输出驱动的总电容。负载包括被驱动IC的输入电容、迹线电容以及印刷电路板上的任何其他寄生或无源元件。

保持时间是系统同步到外部精密频率和/或时间参考，并且暂时失去该参考信号时的一种工作模式。在失去外部参考信号后，本地振荡器应具有在定义的范围内保持或保持稳定频率和/或时间的能力。

高速电流导向逻辑（HCSL）是一种常用的差分输出格式，用于PCI Express、服务器和其他应用。以下是其典型的输出摆幅为700 mV，并从0V到700 mV之间摆动。

哈达玛尔方差是三个连续频率测量值的变化量平方。这些测量值是相邻时钟周期之间的分数频率偏差值，M是样本大小。哈达玛尔方差在白相位调制、闪烁相位调制、白频率调制、闪烁频率调制、随机频率、闪烁频率调制和随机运行频率调制中收敛。它不受线性频率漂移的影响，非常适合分析铯振荡器。哈达玛尔方差的公式如下，其中y代表三个连续时钟周期之间的分数频率偏差值，M是样本大小。

频率与温度斜率，也称为ΔF/ΔT，是指温度每升高或降低1°C时频率的变化率。它量化了振荡器频率对工作温度点附近小温度变化的敏感度。它是精密TCXO的主要性能指标之一，决定了TCXO是否稳定，足以满足目标应用的需求。较小的频率与温度斜率值意味着在一定的温度范围内，温度变化引起的频率变化更小。例如，平均系统温度窗口可能是±5°C。在需要使用IEEE 1588进行时间和频率传输的系统中，更好的频率与温度斜率有助于改善时间误差。测量单位为ppm/°C或ppb/°C。下面是SiT5该图表显示的是频率误差与名义频率的关系，而不是绝对频率，因此纵轴标签为“FERROR”。报告了频率与温度斜率的最高绝对值，该斜率是在整个温度范围内观察到的所有斜率中最大的。

频率稳定性是振荡器的基本性能规格之一。这一规格代表了由于外部条件导致的输出频率偏差——较小的稳定性数值意味着更好的性能。对于不同的振荡器类别，外部条件的定义可能有所不同，但通常包括温度变化。它还可能包括供电电压变化、负载变化和频率老化。频率稳定性通常以百万分之几（ppm）或十亿分之几（ppb）的形式表示，参考的是标称输出频率。

频率是振荡器输出信号的重复率（周期），以每秒赫兹（Hz）为单位进行测量。许多应用需要特定的振荡器频率。以下是一些标准频率及其典型的应用。

工作周期是时钟信号的一种规格，定义为高电平脉冲持续时间与振荡器信号周期的比例。下图说明了工作周期百分比等于100*TH/周期，其中TH和周期是在波形的50%点处测量的。典型的工作周期规格范围为45%至55%。

(缺陷部件数/百万部件) 用于衡量每百万个部件中可能存在的缺陷部件数量。这一测量单位具有一定的可信度。

与单端输出相反，差分输出由两个相位差为180°的互补信号组成。这种输出类型通常用于100 MHz以上的高频振荡器。差分信号通常具有比单端信号更低的电压摆幅、更快的上升/下降时间、更好的噪声抑制能力，并且在需要更高性能或更高频率时使用。最常用的差分信号类型是LVPECL、LVDS和HCSL。请参见相关术语：单端。

周期间抖动（C2C）是指相邻周期信号周期之间的变化。它是在随机选取的相邻周期对（JEDEC JESD65B）中测量的。JEDEC建议的最小样本大小为1000个周期。请参见相关术语：集成相位抖动（IPJ）、长期抖动、周期抖动、相位噪声。

电流模式逻辑（CML）是一种常见的振荡器差分输出格式。它是一种开漏输出类型，这意味着驱动器仅驱动低电平，并且在时钟周期的高电平时需要外部上拉电阻将时钟信号拉高。通常支持两个电压摆幅，450 mV和850 mV。下面的图表显示了一个典型的450 mV波形。CML通常用于电信基础设施应用，如无线基站。

剪裁正弦波是一种常见的单端输出格式，常在TCXO（温度控制振荡器）或OCXO（恒温控制振荡器）设备中遇到。剪裁正弦波输出的主要特点是非常缓慢的上升和下降边沿，类似于正弦波的部分，因此得名。缓慢的上升和下降时间具有几个优点，包括减少高频输出谐波的能量，这些谐波在射频应用中是不理想的。这有助于在布局规则中实现更好的信号完整性，并减少限制。缺点是在高频下的相位噪声性能略低于LVCMOS输出。下面的图表显示了一个典型的剪裁正弦波形以及显著较慢的上升和下降时间。

阿伦偏差（ADEV）也被称为短期频率稳定性，是衡量振荡器在时域稳定性的指标。它代表了一段称为平均时间的频率变化。阿伦偏差是通过计算连续频率测量的均方根（RMS）变化来计算的。平均时间通常在几毫秒到数千秒之间，具体取决于应用目标。阿伦偏差的公式如下，其中y值代表相邻时钟周期之间的分数频率偏差值，M是样本大小。阿伦偏差用于时钟振荡器，因为它在更多类型的振荡器噪声中收敛，相比之下，标准偏差不适用。阿伦偏差适用于白相位调制、闪烁相位调制、白频率调制、闪烁频率调制和随机步进频率，但不适用于闪烁步进频率调制和随机运行频率调制。

老化是指在一定时间内（通常以月或年报告），振荡器频率的变化，以百万分之几（ppm）为单位。这种随时间变化的频率是由振荡器内部的变化引起的，而外部环境因素保持不变。

活动峰值是由主共振模式与一个或多个存在的干扰模式之间的机械耦合引起的。这些模式在环境温度发生变化时会改变共振频率。在某些温度下，干扰模式的频率可能接近所需模式的频率，导致主模式失去能量。这反过来又导致谐振器等效电阻的增加，表现为输出频率的位移。这种位移通常是温度特性中快速的频率跳跃。在频率跳跃之后，平滑的频率曲线会继续以前类似的轨迹，但由于跳跃而向上或向下位移。这种快速的频率变化可能会导致系统问题，例如PLL解锁或数据包丢失。石英谐振器容易受到活动峰值的影响。然而，SiTime MEMS基谐振器不受活动峰值的影响。

参见牵引范围

相位抖动是在一定频谱范围内相位噪声的积分，以皮秒或飞秒表示。下图显示了f1和f2之间的集成带宽以及该曲线下的区域表示时间域中的皮秒或飞秒抖动。

不存在。

µPower 32khz振荡器的摆率在10s ns的数量级。因此，在长达10英寸走线的末端可以驱动多个负载，而无需考虑信号完整性或反射。

我们不提供MEMS振荡器扇出缓冲器。但是，我们的MEMS振荡器驱动程序可以配置为驱动多个负载。

是的。

具有单端LVCMOS输出的MEMS硅晶振通常指定为上升和下降时间的15 pF容性负载。该器件可以驱动更大的负载，最高可达60pf，上升和下降时间较慢。对于需要快速上升和下降时间(~ 1ns)和驱动大容性负载的应用，可根据要求提供具有高驱动强度输出的缓冲装置。

在大多数应用中，LVCMOS振荡器驱动容性负载。在上升沿期间，器件从电源中吸取电流以使负载电容充电。在下降沿期间，电容放电到GND。通过负载的平均电流取决于以下参数:

输出频率(4out)。这决定了从电源中抽取电流的频率。

负载电容值(Load)。较大的电容值需要更多的电流来充电负载电容。

电源电压(Vdd)。需要更大的电流把负载充电到更高的电压。

负载产生的额外电源电流计算公式如下:

I_load = load * Vdd * Fout

不。数据手册中的工作电源电压容差规定了该器件具有特性的直流电压范围。该直流电压容限通常为标称VDD的10%，不应与电源电压上的交流噪声纹波混淆。电源噪声灵敏度(Power supply noise Sensitivity, PSNS)是电源抑制交流噪声的能力，衡量的是在一定的电源噪声频谱范围内，由交流噪声纹波引起的额外抖动量。

VDD上的LC和RC滤波器都可以考虑用于电源噪声滤波。LC滤波器具有较小的压降，是IDD > 5 mA振荡器系列的首选。RC滤波器可用于5毫安以下的振荡器。

对于< 1 MHz振荡器系列(SiT153x, SiT1552或SiT1630)，不需要旁路电容器。这些系列具有内部批量滤波，可为高达300 mV峰对峰和10 MHz频率分量的噪声提供足够的电源滤波。

SiTime建议在所有MHz振荡器的VDD和GND引脚附近和两端放置0.1 uF低ESR多层陶瓷芯片电容器。

大多数MCU和FPGA设计都是作为同步数字块实现的。这些块的硅晶振来源于一个公共的外部晶振引用。SiTime建议使用向下扩频晶振，以确保这些块中的关键时序路径的设置和保持时间不会在进程、VDD和温度之间发生冲突。

SiTime MEMS振荡器提供两种可配置功能，可解决环境合规的EMI问题，而无需对PCB设计进行任何修改。

可编程驱动强度

1.降低驱动强度会增加时钟波形的上升-下降时间，从而衰减高次谐波下的电磁波功率

2.数据手册中的驱动强度表列出了支持的驱动强度，可实现从5pf到60pf的各种负载电容的上升-下降时间

3.有效地减轻来自硅晶振跟踪的电磁干扰

扩频时钟

1.支持中心和向下传播实现高达-17 dB衰减三次谐波和更高的电磁波

2.扩散范围:±0.25%至±2%中心和-0.5%至4%向下扩散

3.在系统级别有效地缓解EM

SiTime为系统内可编程性提供以下选项:

具有差分输出的I2C/SPI振荡器(SiT3951和SiT3552)可通过I2C或SPI实现高达±3200 ppm的拉/调谐频率，分辨率为0.005 ppb，为设计人员提供了极大的灵活性。

数字控制振荡器(DCXO)，具有LVCMOS输出(SiT3907)和差分输出(SiT3921和SiT3922)。这些振荡器允许在窄范围内动态改变输出频率(高达±1600 ppm)，分辨率为1 ppb。

这些器件还取代了许多VCXO应用中的模拟接口。

可以。

SiTime提供现场可编程振荡器，用于Time Machine™II，这是一个完整的便携式编程工具包。该工具可以编程频率，电压，稳定性和其他功能特性，如驱动强度或扩频。编程器和现场可编程设备是快速原型设计和优化系统性能的理想选择，通过创建具有自定义频率或调整驱动器强度的即时样本。现场可编程振荡器具有行业标准的足迹，因此它们可以用作传统石英晶振的插入式替代品，而无需更改任何电路板。

可以。

通过改变驱动电流强度来调整MEMS振荡器的输出缓冲器。通过增加或减少输出级的最大驱动电流，可以分别减少或增加上升和下降时间。高驱动电流强度可以实现更快的上升和下降时间，同时驱动更大的负载。低驱动电流强度降低时钟边缘转换率并降低潜在的电磁干扰。

SiTime提供现场可编程振荡器，用于时间机器II，振荡器编程器，允许配置各种参数，包括上升和下降时间。

大多数SiTime MEMS振荡器的特征引脚（引脚1）具有多项可编程功能，包括“输出使能”（OE）和“待机”（ST）。这两种情况下，通过将引脚1的电平拉低，都能停止设备的输出振荡，但具体实现方式略有不同。

当将逻辑低电平应用于OE引脚时，输出驱动程序会被禁用并进入高阻抗（Hi-Z）模式，这意味着输出不再活动。然而，设备的其他部分仍然保持运行状态。这一操作有助于降低功耗。例如，在3.3 v的SiT8003 20 MHz器件中，当15 pF的负载被应用于输出，将OE引脚拉低可以将静态电流（IDD）从4 mA降低到3.3 mA。而当OE引脚被拉高时，输出通常能在不到1微秒的时间内迅速使能。

当ST引脚被拉低时，配备ST引脚的设备将进入待机模式。此时，设备内的所有内部电路将被关闭，电流降至微安级别的备用电流。当ST引脚被拉高时，设备会经历一个“恢复”过程，这一过程可能需要3毫秒至10毫秒的时间。待机模式下的电流大小以及恢复时间周期，已在设备的数据表中详细规定。需要注意的是，某些SiTime数据表并未明确规定恢复时间；在这种情况下，恢复时间和启动时间是一样的。

总之，通过合理配置OE和ST引脚的状态，用户可以灵活地管理SiTime MEMS振荡器的功耗和运行模式，以满足不同应用场景的需求。

MMES硅晶振采用先进的可编程架构，允许根据需求自由配置多个关键参数。无论是所需的输出频率（可精准到小数点后六位），还是频率稳定性（ppm），乃至设备工作范围内的电源电压，均可以灵活调整。此外，驱动强度和其他功能也可以根据应用需求进行编程设定。对于引脚1的功能，同样可以根据实际需求进行更改。

关于定制规格的详细信息，建议您查阅产品的数据手册。为了满足不同用户的需求，MEMS硅晶振提供了多种编程和交货方式。您可以选择在工厂进行批量编程，交货周期为6-8周；或者通过特定的授权分销商进行编程，实现24小时的快速交货；而对于现场编程需求，Time Machine II便携式编程器是一个理想的选择，能够满足样品的批量编程需求。

输出频率F1处的空载电流消耗可以通过以下公式估算：

IDD_NL_F1 = IDD_NL_F0 + CINT·VDD·(F1 - F0)

其中，IDD_NL_F1表示频率F1处的空载电流消耗，IDD_NL_F0表示数据表中频率F0处规定的空载电流消耗，VDD是电源电压，CINT是内部电容，其典型值为6.5 pF，最大值为8 pF。

对于SiT1602、SiT8008/9、SiT1618、SiT8918/9、SiT8920/1/4/5系列，CINT的典型值为12 pF，最大值为14 pF。

对于SiT8208/9、SiT8225、SiT8256、SiT3807/8/9、SiT3701和SiT8102系列，可以根据公式进行相应的调整。在实际应用中，建议进行实际测量以获得准确的空载电流消耗值。

在大多数应用中，LVCMOS振荡器主要用于驱动容性负载。在信号的上升沿阶段，振荡器会从电源汲取电流，为负载电容充电。而在下降沿阶段，电容会向地线释放所储存的电荷。驱动容性负载所需的平均电流受到以下几个关键参数的影响：

1. 输出频率（Fout）：这一参数决定了从电源吸取电流的频率。

2. 负载电容值（Load）：更大的电容值需要更多的电流来为它充电。

3. 电源电压（Vdd）：为了将负载电容充电至更高的电压，需要更大的电流。

根据这些参数，我们可以使用以下公式来计算所需的额外电源电流： I_load = Load * Vdd * Fout

这个公式帮助我们了解在不同条件下，为满足容性负载所需的电流是多少，从而更好地选择和配置适合的LVCMOS振荡器以及相应的电源系统。

SiTime的相位噪声和抖动计算器为您提供了一个简便的方式来计算集成相位抖动(RMS)并绘制相位噪声数据。

相位噪声图已包含在SiTime的频率特定测试报告中，为用户提供了全面而详细的数据分析。

• 基本系列部件号(如SiT1602、SiT820x等)

• 标称频率(Hz)

• VDD(1.8/2.5/3.3)，单位伏特

• 启动频率偏移(10,100,1k)，以Hz为单位

为了快速估算特定频率下的相位噪声，您可以使用以下公式进行推导： PNs = PNi + 20*Log (Fs/Fi) 其中：

• Fi：公布相位噪声的标称频率

• f：要求相位噪声的标称频率

• PNi：公布相位噪声

通过上述信息，您可以获得特定标称频率下的导出相位噪声，以便更好地了解和评估相关产品的性能。

峰对峰周期对周期抖动(C2C)可以通过参考数据表中的周期抖动(PerJ)规格进行计算。具体公式如下：C2C_rms =√3 * PerJ_rms，而C2C_p-p = 2 * 3.09 * C2C_rms，基于1000个样本。

以SiT9120为例，其峰对峰C2C抖动的典型值为12.8 ps -p，最大值为18.2 ps -p。这些数据帮助我们了解该硅晶振在不同条件下的性能表现，为选择合适的硅晶振提供重要参考。

我们的高性能单端SiT820x系列和差分端SiT912x系列振荡器，为以下串行接口提供了卓越的抖动裕度，作为精准的参考MEMS振荡器：

• USB 2.0

• PCIe 1.0、PCIe 2.0、PCIe 3.0

• SAT-2、SAT-3

• Sas、Sas-2、Sas-3

• 1、10和40gbe

• 1gfc、2gfc、4gfc

对于对功耗要求严格的应用，我们推荐使用低功耗单端振荡器系列SiT1602、SiT8008/9、SiT1618、SiT891x和SiT892x，这些产品适用于以下接口：

• USB 2.0

• SAT-2、SAT-3

• Sas、Sas-2、Sas-3

• 环氧树脂

• 1 GbE

2.0 mm x 1.2 mm封装尺寸的布局建议可以在最佳设计和布局实践申请说明中找到。制造指南列在SiT1533 datasheet的第9页。

在室温下，SiT15xx器件的典型空载工作电源电流约为850 nA，具体数值取决于输出级的电压摆幅。当需要测量低至纳米安培范围的电源电流时，必须使用类似于安捷伦34401A的高分辨率数字电流表。

为了确保对SiT15xx系列微功率32kHz振荡器进行精确的频率测量，SiTime建议您采用门时间为100ms或更长的仪器，并搭配高分辨率频率计数器，如Agilent 53131/2A和Agilent 53230A。对于这类振荡器的测量，频率计数器应具备高稳定性的OCXO参考或采用GPS或铷时钟作为规范。对于其他类型的仪器，如时间间隔分析仪或简单计数器，建议设置栅极时间为1秒或更长。

SiTime的kHz振荡器系列（SiT153x, SiT1552, SiT1630）的电源噪声灵敏度（PSNR）通过频率偏差进行量化，精确地反映了在10 kHz至10 MHz的频率范围内，注入300 mV峰对峰正弦噪声的影响。这些振荡器系列的PSNR图已在各自的数据手册中详细提供，以便您更全面地了解其性能表现。

SiTime MEMS振荡器经过精心设计，相较于同类型的石英晶振，展现出更低的振动敏感性和出色的抗冲击能力。MEMS振荡器致力于为用户提供卓越的冲击与振动耐受性，确保在各种严苛环境中稳定运行。关于冲击和振动的行业标准测量及性能图表，已在《技术资源与支持-应用笔记》中详细记录，以便您全面了解产品的性能特点。

SiTime MEMS硅晶振致力于提供卓越的EMI抗干扰能力。对于电磁干扰敏感性(EMS)的评估，我们采用了工业标准的测量方法，并在《技术资源与支持-应用笔记》中记录了MEMS硅晶振与石英晶振的电磁敏感性说明，以便更直观地了解MEMS硅晶振在电磁环境中的性能表现。

SiTime的EpiSeal™工艺，作为实现MEMS谐振器稳定性的关键要素，在晶圆加工过程中为谐振器提供了密封保护，从而彻底摒弃了对陶瓷封装的依赖。SiTime的EpiSeal谐振器不受大气中最高浓度元素，氮和氧的影响，因此可以作为完美的密封之选。前几代EpiSeal谐振器可能受到大浓度小分子气体的影响。较新的EpiSeal谐振器不受所有小分子气体的影响。如果您计划在高浓度小分子气体中使用SiTime设备，敬请与我们联系，以便我们推荐合适的免疫部件。

SiTime MEMS振荡器精密地集成了MEMS谐振器和CMOS芯片，并采用了严格的半导体封装工艺。由于我们发货的MEMS产品至今尚未出现任何故障，无法具体统计MEMS的活化能(Ea)。因此，我们参照行业标准，设定CMOS的Ea为0.7 eV，作为产品的Ea。在评估产品的可靠性时，我们以设备中最脆弱的元件的Ea为准，以此计算产品的可靠性度量、FIT和MTBF的Ea。

FIT（Failure in Time）是基于严格加速测试（遵循JEDEC22-A108标准）和失效模式分析，应用加速因子后的统计外推值。不同产品间的FIT率差异，源自于各产品在压力测试中设备运行小时数的不同。在生成可靠性报告时，我们会上报相应的FIT编号，以便于跟踪与核查。

所有的SiTime产品均遵循统一的基础技术和流程，确保卓越品质。截至2015年10月，SiTime对数千个MEMS振荡器进行了压力测试，累计测试时间高达3,307,000设备小时，期间无任何故障发生。根据这些数据，我们计算出FIT值为0.88，MTBF（平均无故障时间）为11.4亿小时，进一步证明了MEMS振荡器在可靠性与耐久性方面的出色表现。

SiTime遵循行业标准流程，通过执行严格的生命周期压力测试，如高可靠性测试(HTOL)，确保产品具备卓越的可靠性。

SiTime发布的关键可靠性指标是故障时间率(FIT)，它反映了设备在运行10亿小时后的预期故障数量。此外，我们还采用平均无故障时间(MTBF)这一指标，它是FIT的倒数。其他可靠性指标包括早期故障结果(EFR)、静电放电(ESD)、锁止(LU)、机械冲击(MS)、变频振动(VFV)、振动疲劳(VF)以及恒定加速度(CA)。SiTime产品都采用严谨的6-Sigma流程设计并严格生产。所有SiTime产品均符合JEDEC和AEC标准，并通过批量验收测试(LAT)确保在各种温度范围内的最高品质。

数亿部出货证明了SiTime产品的高品质，高成品率和卓越的性能已经得到验证，在长达六年多的实际应用中，SiTime实现了零MEMS现场故障，展现出行业领先的可靠性。

SiTime的MEMS振荡器不会受到“活动性下降”的影响。

“活动衰减”被定义为石英晶振频率的突然变化。晶体振荡器通常在临界温度下表现出活性下降，并且在温度偏离临界值的小偏差下突然恢复正常行为。

活动下降最常见的原因是:

1. “耦合模式”——不同温度系数下不同晶体振荡模式的碰撞。

2. 水晶包内的水分凝结在石英石板上。

所有这些影响因素都可能剥夺能量的主要振荡模式，导致晶体无法保持原有的振荡状态，甚至会暂时进入不同的晶体振荡模式中。

SiTime的MEMS振荡器不受这些影响有两个原因:

1. SiTime的MEMS振荡模式基于硅材料的特性，其所有模态或伪响应特性均随温度变化，与基本振荡模态保持一致。因此，不同模式间绝不会产生频率交互，避免了性能的下降。

2. SiTime的MEMS First™工艺则运用标准的硅制造技术，在高温、洁净、真空的环境中密封MEMS，确保了MEMS处于一个纯净、无水分的环境中，从而消除了由污染物或水分引起的性能下降的风险。

是的。所有SiTime产品均通过RoHS认证。

2-10A（相位抖动）用于测量时钟信号在 2 MHz 至 10 MHz 偏移频率范围内的短期授时变化。其测量条件为：一阶高通滤波器（HPF）拐点频率 2 MHz，一阶低通滤波器（LPF）拐点频率 10 MHz，并考虑混叠效应。