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可编程晶振空白片 差分晶振 汽车级晶振 温补晶振 恒温晶振 fs级低抖动 特价申请
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MEMS硅晶振产品

  • 可编程晶振空白片FP >

    FP空白片

    单端有源

    单端有源

    1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位
    1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位
    差分晶振

    差分晶振

    1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL
    1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL
    宽温晶振

    宽温晶振

    1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动
    1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动
    压控晶振

    压控晶振

    1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm
    1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm
    扩频晶振

    扩频晶振

    1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围
    1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围

    便携式编程器

    SiT6100DK

    SiT6100DK

    可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由
    可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由

    编程软件

    软件下载

    软件下载

    支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成
    支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成

  • MHz有源晶振 >

    低功耗

    SiT8008

    SiT8008

    1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    SiT8009

    SiT8009

    115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    SiT1602

    SiT1602

    支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
    支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
    SiT8021

    SiT8021

    低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率
    低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率
    SiT2001

    SiT2001

    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    SiT2002

    SiT2002

    SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
    SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

    低抖动

    SiT8208

    SiT8208

    1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位
    1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位
    SiT8209

    SiT8209

    80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位
    80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位

  • 差分晶振 >

    FPGA参考设计推荐

    SiT9121

    SiT9121

    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    SiT9122

    SiT9122

    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    SiT9120

    SiT9120

    支持25-221.5MHz之间常规频率 ，LVDS/LVPECL信号模式
    支持25-221.5MHz之间常规频率 ，LVDS/LVPECL信号模式
    SiT9102

    SiT9102

    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

    低抖动0.3ps

    SiT9366

    SiT9366

    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    SiT9367

    SiT9367

    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    SiT9365

    SiT9365

    支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

    fs级低抖动

    SiT9501

    SiT9501

    70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    SiT9375

    SiT9375

    200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

  • 汽车级晶振 >

    单端

    SiT8924

    SiT8924

    AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率
    AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率
    SiT8925

    SiT8925

    AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率
    AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率
    SiT2024

    SiT2024

    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    SiT2025

    SiT2025

    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
    SiT1625

    SiT1625

    AEC-Q100认证，标准通用封装，44个标准频率
    AEC-Q100认证，标准通用封装，44个标准频率

    差分

    SiT9386

    SiT9386

    1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
    1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
    SiT9387

    SiT9387

    -40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    -40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    SiT9396

    SiT9396

    -40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    -40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    SiT9397

    SiT9397

    -40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    -40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

  • 抗冲击宽温晶振 >

    -55℃~+125℃

    SiT8920

    SiT8920

    1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失
    1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失
    SiT8921

    SiT8921

    119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装
    119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装
    SiT2020

    SiT2020

    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
    SiT2021

    SiT2021

    SOT23-5封装 ，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
    SOT23-5封装 ，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

    -40℃~+125℃

    SiT8918

    SiT8918

    标准通用封装 ，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动
    标准通用封装 ，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动
    SiT8919

    SiT8919

    标准通用封装 ，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化
    标准通用封装 ，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化
    SiT1618

    SiT1618

    标准通用封装 ，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
    标准通用封装 ，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
    SiT2018

    SiT2018

    SOT23-5封装 ，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能
    SOT23-5封装 ，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能
    SiT2019

    SiT2019

    SOT23-5封装 ，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT
    SOT23-5封装 ，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT

  • 压控晶振VCXO >

    单端

    SiT3807

    SiT3807

    仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm
    仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm
    SiT3808

    SiT3808

    1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
    1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
    SiT3809

    SiT3809

    80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
    80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

    0.23ps低抖动差分

    SiT3372

    SiT3372

    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
    SiT3373

    SiT3373

    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

    低成本差分

    SiT3821

    SiT3821

    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm
    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm
    SiT3822

    SiT3822

    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm
    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm

  • 高精度温补晶振TCXO >

    ±0.005ppm

    SiT5356

    SiT5356

    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5357

    SiT5357

    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5501

    SiT5501

    1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5503

    SiT5503

    1～60 MHz任意频率，支持LVCMOS或削峰正弦波输出
    1～60 MHz任意频率，支持LVCMOS或削峰正弦波输出
    SiT5358

    SiT5358

    1～60 MHz任意频率，支持LVCMOS或削峰正弦波输出
    1～60 MHz任意频率，支持LVCMOS或削峰正弦波输出
    SiT5359

    SiT5359

    60～220 MHz任意频率，支持LVCMOS或削峰正弦波输出
    60～220 MHz任意频率，支持LVCMOS或削峰正弦波输出
    SiT5376

    SiT5376

    1～60 MHz任意频率，支持LVCMOS或削峰正弦波输出
    1～60 MHz任意频率，支持LVCMOS或削峰正弦波输出
    SiT5377

    SiT5377

    60～220 MHz任意频率，支持LVCMOS或削峰正弦波输出
    60～220 MHz任意频率，支持LVCMOS或削峰正弦波输出

    ±0.1 ppm

    SiT5186

    SiT5186

    1～60 MHz，±0.5～±2.5 ppm汽车级温补晶振
    1～60 MHz，±0.5～±2.5 ppm汽车级温补晶振
    SiT5187

    SiT5187

    60～220 MHz，±0.5～±2.5 ppm汽车级温补晶振
    60～220 MHz，±0.5～±2.5 ppm汽车级温补晶振
    SiT5386

    SiT5386

    1～60 MHz，±0.1～±2.5 ppm 汽车级温补晶振
    1～60 MHz，±0.1～±2.5 ppm 汽车级温补晶振
    SiT5387

    SiT5387

    60～220 MHz，±0.1～±2.5 ppm汽车级温补晶振
    60～220 MHz，±0.1～±2.5 ppm汽车级温补晶振

    ±0.5ppm

    SiT5155

    SiT5155

    支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS
    支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS
    SiT5156

    SiT5156

    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5157

    SiT5157

    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

    ±5ppm

    SiT5021

    SiT5021

    1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式
    1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式
    SiT5022

    SiT5022

    220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式
    220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式

    1 Hz～2.5 MHz

    SiT1576

    SiT1576

    1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    SiT1579

    SiT1579

    超小型，低功耗，低抖动，1 Hz至2.5 MHz振荡器
    超小型，低功耗，低抖动，1 Hz至2.5 MHz振荡器

  • 恒温晶振OCXO >

    ±1～±5ppb OCXOs

    SiT5801

    SiT5801

    10～ 60MH任意频率，高精度恒温振荡器，8小时稳定输出
    10～ 60MH任意频率，高精度恒温振荡器，8小时稳定输出
    SiT5802

    SiT5802

    10～220MH任意频率，高精度恒温振荡器，8小时稳定输出
    10～220MH任意频率，高精度恒温振荡器，8小时稳定输出
    SiT5811

    SiT5811

    10～60 MHz任意频率，高精度恒温振荡器，12小时稳定输出
    10～60 MHz任意频率，高精度恒温振荡器，12小时稳定输出
    SiT5812

    SiT5812

    60～ 220MHz任意频率，高精度恒温振荡器，12小时稳定输出
    60～ 220MHz任意频率，高精度恒温振荡器，12小时稳定输出

    ±5ppb OCXO

    SiT5711

    SiT5711

    Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击
    Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击

    ±5ppb DCOCXO

    SiT5721

    SiT5721

    Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
    Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能

  • 32.768KHz >

    小尺寸

    SiT1532

    SiT1532

    低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    SiT1533

    SiT1533

    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm
    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm
    SiT1630

    SiT1630

    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
    SIT1811

    SIT1811

    超低功耗，低抖动，1.2 x 1.1 mm封装尺寸
    超低功耗，低抖动，1.2 x 1.1 mm封装尺寸
    SiT1581

    SiT1581

    超小型，低功耗，低抖动，1Hz至2.5 MHz振荡器
    超小型，低功耗，低抖动，1Hz至2.5 MHz振荡器
    SiT1572

    SiT1572

    超小型低抖动，32.768 kHz±50 ppm振荡器
    超小型低抖动，32.768 kHz±50 ppm振荡器
    SiT1573

    SiT1573

    超小型低抖动，32.768 khz±100 ppm振荡
    超小型低抖动，32.768 khz±100 ppm振荡

    高精度32.768KHz

    SiT1552

    SiT1552

    高精度±5ppm，1508封装 超低功耗32.768KHz温补晶振TCXO
    高精度±5ppm，1508封装 超低功耗32.768KHz温补晶振TCXO

    1 Hz～462.5 KHz

    SiT1534

    SiT1534

    超小微功率，1 Hz至32.768 kHz振荡器
    超小微功率，1 Hz至32.768 kHz振荡器
    SiT1569

    SiT1569

    超低功耗，1 Hz至462.5 kHz，±50 ppm振荡器
    超低功耗，1 Hz至462.5 kHz，±50 ppm振荡器

  • 扩频晶振SSXO >

    汽车级

    SIT9025

    SIT9025

    1-150MHz任意频率、AEC-Q100 汽车级高温扩频振荡器
    1-150MHz任意频率、AEC-Q100 汽车级高温扩频振荡器

    单端

    SiT9005

    SiT9005

    1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选
    1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选
    SiT9003

    SiT9003

    1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选
    1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选

    差分

    SiT9002

    SiT9002

    1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
    1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式

  • I2C/SPI / 数控晶振 >

    数控

    SiT3901

    SiT3901

    1～26MHz任意频率，超小型，低功耗DCXO
    1～26MHz任意频率，超小型，低功耗DCXO
    SiT3907

    SiT3907

    1～220MHz任意频率，LVCMOS/LVTTL兼容输出
    1～220MHz任意频率，LVCMOS/LVTTL兼容输出
    SiT3921

    SiT3921

    1～220MHz任意频率，LVPECL/LVDS信号模式
    1～220MHz任意频率，LVPECL/LVDS信号模式
    SiT3922

    SiT3922

    220～625MHz任意频率，LVPECL/LVDS信号模式
    220～625MHz任意频率，LVPECL/LVDS信号模式

    I2C/SPI

    SiT3521

    SiT3521

    1～340MHz任意频率，支持LVPECL/LVDS/HCSL信号模式输出
    1～340MHz任意频率，支持LVPECL/LVDS/HCSL信号模式输出
    SiT3522

    SiT3522

    340～725MHz任意频率，支持LVPECL/LVDS/HCSL信号模式输出
    340～725MHz任意频率，支持LVPECL/LVDS/HCSL信号模式输出

  • 网络同步 / 去抖时钟 >

    高精度网络同步时钟

    SiT95147

    SiT95147

    低抖动，8路输出MEMS网络同步器
    低抖动，8路输出MEMS网络同步器
    SiT95148

    SiT95148

    低抖动，11路输出MEMS网络同步器
    低抖动，11路输出MEMS网络同步器

    去抖时钟

    SiT95145

    SiT95145

    低抖动，10路输出MEMS抖动清除器
    低抖动，10路输出MEMS抖动清除器

    抖动清除器

    SiT95312

    SiT95312

    双PLL，2输出抖动清洁器
    双PLL，2输出抖动清洁器
    SiT95314

    SiT95314

    四PLL，四输出抖动清洁器
    四PLL，四输出抖动清洁器
    SiT95315

    SiT95315

    四PLL，十二输出抖动净化器
    四PLL，十二输出抖动净化器

    网络同步器

    SiT95316

    SiT95316

    四PLL，十二输出网络同步器
    四PLL，十二输出网络同步器
    SiT95317

    SiT95317

    四PLL，八输出网络同步器
    四PLL，八输出网络同步器

  • 时钟发生器 >

    MEMS时钟发生器

    SiT91211

    SiT91211

    支持1～700 MHz频率，低抖动（150 fs）
    支持1～700 MHz频率，低抖动（150 fs）
    SiT91213

    SiT91213

    支持1～700 MHz任意频率，超低抖动（70 fs）
    支持1～700 MHz任意频率，超低抖动（70 fs）
    SiT95141

    SiT95141

    低抖动，10路输出MEMS时钟发生器
    低抖动，10路输出MEMS时钟发生器

    MEMS时钟生成器

    SiT95210

    SiT95210

    低抖动、四PLL、四路输出时钟发生器
    低抖动、四PLL、四路输出时钟发生器
    SiT95211

    SiT95211

    超低抖动，四PLL，可编程频率，12路输出时钟发生器
    超低抖动，四PLL，可编程频率，12路输出时钟发生器

    MEMS实时时钟

    SiT95901

    SiT95901

    超低功耗双I2C总线实时时钟（RTC）
    超低功耗双I2C总线实时时钟（RTC）

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    高性能时钟缓冲器

    SiT92110

    SiT92110

    10路LVCMOS输出，超低抖动
    10路LVCMOS输出，超低抖动
    SiT92112

    SiT92112

    支持电源电压1.8 V～3.3 V，2路LVCMOS输出
    支持电源电压1.8 V～3.3 V，2路LVCMOS输出
    SiT92113

    SiT92113

    支持电源电压3.3V ~ 2.5V，5路LVCMOS输出
    支持电源电压3.3V ~ 2.5V，5路LVCMOS输出
    SiT92114

    SiT92114

    支持电源电压1.8 V ～ 3.3 V，4路LVCMOS 输出
    支持电源电压1.8 V ～ 3.3 V，4路LVCMOS 输出
    SiT92206

    SiT92206

    6路差分输出、超低抖动
    6路差分输出、超低抖动
    SiT92208

    SiT92208

    8路差分输出、超低抖动
    8路差分输出、超低抖动
    SiT92211

    SiT92211

    10路差分输出、超低抖动
    10路差分输出、超低抖动
    SiT92216

    SiT92216

    4路差分和1路LVCMOS输出，超低抖动
    4路差分和1路LVCMOS输出，超低抖动

    PCIe时钟缓冲器

    SiT92310

    SiT92310

    20路输出DB2000Q等效版本，带85Ω终端
    20路输出DB2000Q等效版本，带85Ω终端
    SiT92313

    SiT92313

    8路输出DB800Z等效，配备85Ω终端电阻
    8路输出DB800Z等效，配备85Ω终端电阻
    SiT92314

    SiT92314

    DB800Z输出接口，配备85Ω终端电阻，实现高效稳定的信号传输。
    DB800Z输出接口，配备85Ω终端电阻，实现高效稳定的信号传输。
    SiT92315

    SiT92315

    20路输出，DB2000QL等效时钟缓冲器，配备85Ω终端电阻
    20路输出，DB2000QL等效时钟缓冲器，配备85Ω终端电阻
    SiT92316

    SiT92316

    6路输出1.8V PCIe扇出缓冲器，配备100Ω终端电阻
    6路输出1.8V PCIe扇出缓冲器，配备100Ω终端电阻
    SiT92317

    SiT92317

    6路输出，等效于DB800Z规格，配备85Ω终端电阻
    6路输出，等效于DB800Z规格，配备85Ω终端电阻
    SiT92318

    SiT92318

    8路输出，等效于DB800Z规格，配备85Ω终端电阻
    8路输出，等效于DB800Z规格，配备85Ω终端电阻

    汽车级时钟缓冲器

    SiT92182

    SiT92182

    高性能双输出、LVCMOS 汽车时钟缓冲器
    高性能双输出、LVCMOS 汽车时钟缓冲器
    SiT92184

    SiT92184

    高性能四路输出，LVCMOS汽车级时钟缓冲器
    高性能四路输出，LVCMOS汽车级时钟缓冲器

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    SiTime硅晶振产品具有更高的稳定性、准确性和可靠性——这些都是实现一流定时同步和成功部署大规模5G网络所不可或缺的关键要素。

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    行业特点
    精选行业解决方案
    精选行业主打产品
    了解我们的技术
    技术资源
    5G通信基础设施正在构建一个更密集的网络，该网络更贴近消费者且处于更少的受控环境中。由于短距离无线电、更高频率和更紧凑的信道，对定时解决方案的需求变得更加迫切。SiTime凭借更高的动态稳定性，确保一切保持同步。 MEMS硅晶振解决方案能够提供所需的性能，即使在极端温度、快速气流、冲击、振动和电磁干扰等最恶劣的条件下，也能确保网络稳定运行。
    行业特点
    更高的可靠性和质量
    平均无故障工作时间（MTBF）超过22亿小时，失效率低于0.5 FIT、质量缺陷率低于1 DPPM、性能优于石英晶振50倍
    环境适应性强
    ±0.3 ppb/°C，10°C/min的频率斜率（ΔF/ΔT、艾伦方差（ADEV）为1.5e-11，平均时间为10秒、PSNR为0.2 ps/mV
    超稳定性能
    频率稳定性高达±5 ppb、工作温度范围：-40°C至105°C、每日老化率为±0.2 ppb
    精选行业解决方案
    AI/ML 卸载引擎

    出色的 dF/dT，温度稳定性高，老化程度低

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    无线网络
    温度范围广，环境适应性强
    查看详情
    机架顶交换机/叶交换机
    出色的 dF/dT、抗震、低抖动
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    硅晶振服务器
    无活动骤降，抗热瞬变
    查看详情
    智能网卡
    出色的 dF/dT，耐气流和热量，更好的 PSNR
    查看详情
    串行数据链路
    更好的 PSNR、体积小、功耗低
    查看详情
    精确的全球导航卫星系统
    在恶劣条件下保持卫星锁定
    查看详情
    光通信
    体积更小、功耗更低、温度范围更广
    查看详情
    微波回程
    温度范围广、环境适应性强、dF/dT 性能卓越
    查看详情
    仪器
    低老化、可编程频率、高稳定性
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    主机总线适配器（HBA）
    低抖动、超坚固、体积小
    查看详情
    前传交换机
    出色的 dF/dT，耐气流和热量，更好的 PSNR
    查看详情
    FPGA 时钟
    更高可靠性、宽温稳定、可编程硅晶振
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    固定无线接入 (FWA)
    高稳定性、抗震性、宽温度范围
    查看详情
    分布式装置
    保持、优异的 dF/dT、抗气流、宽温度范围、低老化
    查看详情
    数据中心
    抗气流和振动，出色的 dF/dT，低老化
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    全部行业
    无线网络
    机架顶交换机/叶交换机
    硅晶振服务器
    智能网卡
    串行数据链路
    精确的全球导航卫星系统
    光通信
    微波回程
    仪器
    主机总线适配器（HBA）
    前传交换机
    FPGA 时钟
    固定无线接入 (FWA)
    分布式装置
    数据中心
    精选行业主打产品
    高精度温补振荡器

    Elite Platform®、Elite X™ 和 Elite RF™ 超级温补振荡器提供卓越的动态性能和丰富的功能特性 • 频率范围：1 MHz至220 MHz，稳定度±5至±20 ppb • 优异的动态稳定性，频率斜率（ΔF/ΔT）为±0.3 ppb/°C • 工作温度范围：-40°C至+105°C • 耐受快速温度变化、气流和振动的影响

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    抖动清除器与网络同步器

    采用集成谐振器的基于MEMS的时钟，彻底摆脱对石英晶振的依赖，并解决所有与石英晶振相关的问题

    • 支持1至4个PLL、4个输入端、最多11个输出端，输出频率范围覆盖8 kHz至2.1 GHz

    • 相位建立时间为26 ps（无中断切换）

    • 低漂移模式，零延迟缓冲模式

    • 采用50-ppt分辨率的DCO（数控振荡器）

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    时钟发生器

    采用集成式MEMS谐振器，将多个时钟集成电路和振荡器集成于单个器件中，实现时钟树的高度集成

    • 提供4个输入端、最多11个输出端，支持8 kHz至2.1 GHz的输出频率

    • 片上集成MEMS谐振器，无需外接晶振

    • 无石英晶振相关的质量和可靠性问题

    • 对振动和电路板弯曲的抵抗能力提高10倍

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    超低抖动差分振荡器

    高性能振荡器，具备70 fs至230 fs RMS相位抖动，专为稳健的系统性能而设计

    • 频率范围：1 MHz至725 MHz，稳定度±10至±20 ppm

    • 工作温度范围：-40°C至+105°C • PSNR为0.02 ps/mv，支持I2C/SPI编程

    • 采用2.0 x 1.6 mm等业内标准封装


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    Stratum 3E OCXO

    以最小的OCXO尺寸实现±5 ppb的高精度稳定性，非常适合新兴的5G和IEEE 1588同步应用

    • 频率范围：1 MHz至60 MHz，稳定度±5至±50 ppb，最高工作温度可达+105°C

    • 无活动下降或微跳变现象

    • 最小的9 x 7 mm OCXO封装尺寸

    • 使用便捷，PCB布局无需加盖或限制


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    了解我们的技术
    MEMS硅晶振性能优势

    功能更多、性能更高、可靠性更强和成本更低成本的产品

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    MEMS振荡器介绍

    利用先进的半导体工艺制造而成，无任何石英晶体材料

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    MEMS领域技术专长

    功能更多、性能更高、可靠性更强和成本更低成本的产品

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    MEMS谐振器概述

    功能更多、性能更高、可靠性更强和成本更低成本的产品

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