5G 预计将掀起数据经济的变革,但首先它将重写无线网络部署规则。5G 无线电将部署在室外环境中,比如路灯柱、建筑物、交通信号灯上。它将暴露在高温和温度快速变化的环境中,因此可能导致无线电无法同步的现象,从而造成高级驾驶辅助系统和远程医疗等服务发生中断。
与其他时序厂商不同,SiTime采取系统方法解决上述问题。我们优化我们的 MEMS SiT5356 Super-TCXO系统、模拟、先进封装技术和温度补偿,在-40到105的温度范围内提供 ±100 ppb 的稳定性和 ±1 ppb/℃ 的频率斜率 (ΔF/ΔT)等业界领先性能。
SIT5356高精度温补晶振完全符合GR-1244 Stratum 3振荡器规范,满足 IEEE 1588 规定的 5G/4G+ 无线电同步要求。我们相信配备 SiTime Super-TCXO 的无线电设备能够最大限度地减少 5G/4G+服务的中断,确保更优异的用户体验。
SIT5356高精度温补晶振是±100 ppb精度MEMS Super-TCXO。 SIT5356高精度温补晶振经过精心设计,基于创新的 DualMEMS™架构,同时采用了 TurboCompensation™ 技术。SIT5356高精度温补晶振在气流、温度快速变化、环境振动、机械冲击、电源噪声和电磁干扰 (EMI)的条件下提供最稳定时钟信号。
SIT5356高精度温补晶振架构具备以下三大特性,可以提供优异的动态性能:
频率范围 | 1MHz - 60MHz之间任意频率,可精确到小数点后6位 |
频率稳定性(ppm) | ±0.1,±0.2,±0.25 |
相位抖动(ps) | 0.31ps |
输出类型 | LVCMOS,,Clipped sinewave |
工作温度范围(℃) | -20 ~ +70,-40 ~ +85,-40 ~ +105 |
牵引范围(ppm) | ±6.25 ~ ±3200 |
上升/下降时间(ns) | 可配置,降低EMI |
工作电压(V) | 2.5,2.8,3.0,3.3 |
封装尺寸(mm2) | 5.0x3.2 |
特点 | 可编程制程,任意参数自由组合 |
状态 | 量产 |
SiT5356高精度压控温补晶振振动时相位噪声提高20倍
SiT5356高精度压控温补晶振无活动下降或微跳
SiT5356高精度压控温补晶振具有0.2 ps/mV电源噪声抑制(PSNR)
SiT5356高精度压控温补晶振信号模式:LVCMOS或削波正弦波输出
SiT5356高精度压控温补晶振具有丰富的可编程功能
SiT5356高精度压控温补晶可以通过I2C进行数字频率调谐
SiT5356高精度压控温补晶具有卓越的可靠性
● 数据通信系统 | ● 以太网交换机和路由器 | ● 工业IEEE1588 | ● GPS/GNSS模块 |
● 微波回程 | ● 数据中心 | ● 音频和视频 | ● 测试和测量 |
● 精密GNSS | ● 智慧城市 |
● 家庭娱乐 |
功能引脚示意图 |
脚位 |
功能 |
上拉/下拉电阻 |
说明 | |
|
1 |
OE/NC[10]/VC |
OE – Input |
100kΩ Pull-Up |
H[8]: specified frequency output L: output is high impedance. Only output driver is disabled. |
NC – No Connect |
|
H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions | |||
VC – Input |
|
Control Voltage in VCTCXO Mode | |||
2 |
SCL / NC[10] |
SCL – Input |
200kΩ Pull-Up |
I2C serial clock input | |
No Connect |
|
H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions | |||
3 |
NC[10] |
No Connect |
- | H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions | |
4 |
GND |
Power |
- | Connect to ground | |
5 |
A0 / NC[10] |
A0 – Input |
100 kΩ Pull-Up |
Device I2C address when the address selection mode is via the A0 pin. This pin is NC when the I2C device address is specified in the ordering code.
A0 Logic Level I2C Address
0 1100010
1 1101010
|
|
NC – No Connect |
|
H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions. | |||
6 |
CLK |
Output |
- | LVCMOS, or clipped sinewave oscillator output | |
7 |
NC[10] |
No Connect |
- | H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions | |
8 |
NC[10] |
No Connect |
- | H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions | |
9 |
VDD |
Power |
- | Connect to power supply[9] | |
10 |
SDA / NC[10] |
SDA – Input/Output |
200 kΩ Pull Up | I2C Serial Data. | |
NC – No Connect |
|
H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions. |
产品型号 | 规格描述 | 库存数量 | |
SiT5356AC-FQ-25VT-10.000000 | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.1ppm 2.5V -20℃ ~ +70℃ | 100 | 商城购买 |
SiT5356AC-FQ-25VT-10.000000Y | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.1ppm 2.5V -20℃ ~ +70℃ | 100 | 商城购买 |
SiT5356AC-FQ-25VT-10.000000T | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.1ppm 2.5V -20℃ ~ +70℃ | 100 | 商城购买 |
SiT5356AC-FQ-33VT-10.000000 | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.1ppm 3.3V -20℃ ~ +70℃ | 100 | 商城购买 |
SiT5356AC-FQ-33VT-10.000000Y | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.1ppm 3.3V -20℃ ~ +70℃ | 100 | 商城购买 |
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SiT5356AC-FP-25VT-10.000000 | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.2ppm 2.5V -20℃ ~ +70℃ | 100 | 商城购买 |
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SiT5356AC-FN-25VT-10.000000 | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.25ppm 2.5V -20℃ ~ +70℃ | 100 | 商城购买 |
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SiT5356AI-FQ-25VT-10.000000 | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.1ppm 2.5V -40℃ ~ +85℃ | 100 | 商城购买 |
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SiT5356AI-FQ-33VT-10.000000 | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.1ppm 3.3V -40℃ ~ +85℃ | 100 | 商城购买 |
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SiT5356AI-FQ-33VT-10.000000T | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.1ppm 3.3V -40℃ ~ +85℃ | 100 | 商城购买 |
SiT5356AI-FP-25VT-10.000000 | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.2ppm 2.5V -40℃ ~ +85℃ | 100 | 商城购买 |
SiT5356AI-FP-25VT-10.000000Y | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.2ppm 2.5V -40℃ ~ +85℃ | 100 | 商城购买 |
SiT5356AI-FP-25VT-10.000000T | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.2ppm 2.5V -40℃ ~ +85℃ | 100 | 商城购买 |
SiT5356AI-FP-33VT-10.000000 | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.2ppm 3.3V -40℃ ~ +85℃ | 100 | 商城购买 |
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SiT5356AI-FP-33VT-10.000000T | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.2ppm 3.3V -40℃ ~ +85℃ | 100 | 商城购买 |
SiT5356AI-FN-25VT-10.000000 | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.25ppm 2.5V -40℃ ~ +85℃ | 100 | 商城购买 |
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SiT5356AI-FN-25VT-10.000000T | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.25ppm 2.5V -40℃ ~ +85℃ | 100 | 商城购买 |
SiT5356AI-FN-33VT-10.000000 | 高精度温补晶振TCXO SiT5356系列 方波 压控 10MHz 5032 ±0.25ppm 3.3V -40℃ ~ +85℃ | 100 | 商城购买 |
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