欢迎来到 SiTime硅晶振样品中心商城!  登录 注册
0  我的购物车
可编程晶振空白片 差分晶振 汽车级晶振 温补晶振 恒温晶振 fs级低抖动 特价申请
0 购物车
MEMS硅晶振产品

    可编程晶振空白片FP

    FP空白片

    单端有源

    单端有源

    1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位
    1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位
    差分晶振

    差分晶振

    1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL
    1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL
    宽温晶振

    宽温晶振

    1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动
    1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动
    压控晶振

    压控晶振

    1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm
    1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm
    扩频晶振

    扩频晶振

    1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围
    1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围

    便携式编程器

    SiT6100DK

    SiT6100DK

    可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由
    可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由

    编程软件

    软件下载

    软件下载

    支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成
    支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成

    MHz有源晶振

    低功耗

    SiT8008

    SiT8008

    1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    SiT8009

    SiT8009

    115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    SiT1602

    SiT1602

    支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
    支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
    SiT8021

    SiT8021

    低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率
    低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率
    SiT2001

    SiT2001

    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    SiT2002

    SiT2002

    SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
    SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

    低抖动

    SiT8208

    SiT8208

    1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位
    1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位
    SiT8209

    SiT8209

    80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位
    80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位

    差分晶振

    FPGA参考设计推荐

    SiT9121

    SiT9121

    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    SiT9122

    SiT9122

    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    SiT9120

    SiT9120

    支持25-221.5MHz之间常规频率 ，LVDS/LVPECL信号模式
    支持25-221.5MHz之间常规频率 ，LVDS/LVPECL信号模式
    SiT9102

    SiT9102

    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

    低抖动0.3ps

    SiT9366

    SiT9366

    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    SiT9367

    SiT9367

    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    SiT9365

    SiT9365

    支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

    fs级低抖动

    SiT9501

    SiT9501

    70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    SiT9375

    SiT9375

    200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

    汽车级晶振

    单端

    SiT8924

    SiT8924

    AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率
    AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率
    SiT8925

    SiT8925

    AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率
    AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率
    SiT2024

    SiT2024

    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    SiT2025

    SiT2025

    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

    差分

    SiT9386

    SiT9386

    1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
    1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
    SiT9387

    SiT9387

    -40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    -40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    SiT9396

    SiT9396

    -40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    -40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    SiT9397

    SiT9397

    -40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    -40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

    抗冲击宽温晶振

    -55℃~+125℃

    SiT8920

    SiT8920

    1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失
    1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失
    SiT8921

    SiT8921

    119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装
    119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装
    SiT2020

    SiT2020

    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
    SiT2021

    SiT2021

    SOT23-5封装 ，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
    SOT23-5封装 ，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

    -40℃~+125℃

    SiT8918

    SiT8918

    标准通用封装 ，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动
    标准通用封装 ，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动
    SiT8919

    SiT8919

    标准通用封装 ，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化
    标准通用封装 ，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化
    SiT1618

    SiT1618

    标准通用封装 ，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
    标准通用封装 ，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
    SiT2018

    SiT2018

    SOT23-5封装 ，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能
    SOT23-5封装 ，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能
    SiT2019

    SiT2019

    SOT23-5封装 ，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT
    SOT23-5封装 ，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT

    压控晶振VCXO

    单端

    SiT3807

    SiT3807

    仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm
    仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm
    SiT3808

    SiT3808

    1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
    1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
    SiT3809

    SiT3809

    80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
    80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

    0.23ps低抖动差分

    SiT3372

    SiT3372

    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
    SiT3373

    SiT3373

    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

    低成本差分

    SiT3821

    SiT3821

    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm
    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm
    SiT3822

    SiT3822

    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm
    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm

    高精度温补晶振TCXO

    ±0.5ppm~2.5ppm

    SiT5155

    SiT5155

    支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS
    支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS
    SiT5156

    SiT5156

    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5157

    SiT5157

    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

    ±0.1ppm~0.25ppm

    SiT5356

    SiT5356

    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5357

    SiT5357

    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5501

    SiT5501

    1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

    ±5ppm温补差分

    SiT5021

    SiT5021

    1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式
    1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式
    SiT5022

    SiT5022

    220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式
    220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式

    恒温晶振OCXO

    ±5ppb OCXO

    SiT5711

    SiT5711

    Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击
    Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击

    ±5ppb DCOCXO

    SiT5721

    SiT5721

    Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
    Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能

    低功耗小尺寸KHz

    低功耗

    SiT1532

    SiT1532

    低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    SiT1533

    SiT1533

    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm
    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm
    SiT1630

    SiT1630

    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5

    高精度

    SiT1552

    SiT1552

    高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    SiT1576

    SiT1576

    1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

    扩频晶振SSXO

    单端

    SiT9005

    SiT9005

    1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选
    1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选
    SiT9003

    SiT9003

    1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选
    1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选

    差分

    SiT9002

    SiT9002

    1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
    1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
  • 首页
  • 解决方案
    解决方案概述 >
    通信设施
    汽车
    工业自动化
    物联网IOT
    移动可穿戴
    消费电子
    航空航天和防务
    北斗RDSS定位通信
  • 技术创新
    技术创新概述 >
    MEMS硅晶振内部原理结构介绍 >
    MEMS硅晶振制作工艺流程 >
    MEMS硅晶振与石英晶振对比 >
    MEMS硅晶振性能优势 >
    MEMS硅晶振创新突破 >
  • 样品申请
  • 技术资源与支持
    技术资源与支持概览 >
    应用笔记
    技术文档
    产品培训
    MEMS硅晶振百科 >
    质量和可靠性 >
    设计工具 >
  • 联系我们
    联系我们
    关于SiTime
    关于SiTime样品中心
    关于晶圆电子
    选型手册
    新闻中心
  • 在线商城

    • SiT2025

    商城购买
    DataSheet 商城下单

    115-137MHz任意频率，AEC-Q100，SOT23-5封装

      SiT2025汽车级晶振采用SOT23-5封装，提供了较好的板级焊点可靠性，符合AEC-Q100汽车标准，用于汽车和极端温度的应用。SIT2025汽车级晶振提供了较高的频率范围（137MHz）、优异的稳定性（±20 ppm）和极端温度范围（-55到125°C）的完美组合。SIT2025还具有行业中最好的0.1 ppb/g振动灵敏度，10000g冲击和70g抗振动能力。
           SiT2025汽车级晶振专为符合 ASIL（汽车安全完整性等级）标准的汽车应用而设计，契合汽车产业电子化的智能换代，例如高级驾驶员辅助系统 (ADAS)、车载以太网、动力总成和电子控制单元（ECU）。
    选型参数
    优势特点
    产品应用
    命名规则
    频率范围   115MHz - 137MHz，可精确到小数点后6位
    频率稳定性(ppm)   ±20，±25，±30，±50
    相位抖动(ps)   1.3ps
    输出类型   LVCMOS
    工作温度范围(℃)   -40 ~ +85，-40 ~ +105，-40 ~ +125，-55 ~ +125
    上升/下降时间(ns)   可配置，降低EMI
    工作电压(V)   1.8 ~ 3.3
    封装尺寸(mm2)    SOT23-5（2.9x2.8）
    特点   AEC-Q100认证，可编程制程，-55℃ ~ +125℃
    状态   量产







        联系我们

        中国区服务热线 400-888-2483
    © 2020 sitimechina.com 京ICP备13034140号-2
  • 0购物车
  • 微信客服
  • 在线商城
  • 小程序
  • 用户中心
  • 返回顶部