MHz有源晶振

SiTime提供了完整的单端MHz有源晶振产品组合。 SiTime MEMS单端有源晶振具有石英晶振无法提供的可配置功能,并被设计用于更高的可靠性,更短的交货时间,并解决独特的时序问题,例如EMI和温漂。 SiTime MEMS单端有源晶振完全兼容替代传统石英晶振,而无需任何设计或电路板布局更改。

单端低功耗有源晶振


SiTime为消费,工业,物联网和网络应用提供了广泛的单端低功耗有源晶振产品组合。 具有1-137MHz频率范围,支持1.8-3.3 V电源电压自动适配。低功耗,小尺寸,并且在宽温度范围内具有出色的温度稳定性。


  • 1至137 MHz任意频率,精度为小数点后6位
  • 行业标准封装(2016、2520、3225、5032和7050)
  • SOT23-5引线封装,具有更高的板级可靠性和可制造性
  • FlexEdge™可配置的上升/下降时间,压摆率为0.25至40 ns,可降低EMI



Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT8008
 1MHz - 110 MHz
±20
±25
±50
 LVCMOS
 1.8 - 3.3
-20 ~ +70
-40 ~ +85
2.0x1.6
2.5x2.0,3.2x2.5
5.0x3.2,7.0x5.0
SiT8009
  115MHz -137 MHz
±20
±25
±50
LVCMOS
1.8 - 3.3
-20 ~ +70
-40 ~ +85
2.0x1.6
2.5x2.0,3.2x2.5
5.0x3.2,7.0x5.0
SiT1602
 52个标准频率
±20
±25
±50
 LVCMOS
1.8-3.3
-20 ~ +70
-40 ~ +85
2.0x1.6
2.5x2.0,3.2x2.5
5.0x3.2,7.0x5.0
SiT8021
 1 MHz - 26 MHz
±50
±100
LVCMOS
1.8
2.25~3.63
-20 ~ +70
-40 ~ +85
1.5  x 0.8
SiT2001
  1MHz - 110MHz
±20
±25
±50
 LVCMOS
1.8~3.63 
-20 ~ +70
-40 ~ +85
 SOT23(2.9 x 2.8)
SiT2002
  115MHz - 137MHz
±20
±25
±50
 LVCMOS
1.8 - 3.3
-20 ~ +70
-40 ~ +85
 SOT23(2.9 x 2.8)

单端低抖动有源晶振


SiTime MEMS低抖动有源晶振实现了0.6ps的低相位抖动和±10PPM的频率稳定度。SiTime低抖动MEMS硅晶振解决方案被誉为首个超过SONET标准的MEMS时钟解决方案。低抖动MEMS硅晶振是音频、视频、电信、网络和存储应用的理想选择,可直接代替传统石英晶振。


  • 支持1-220MHz之间任意频点,精度为小数点后6位
  • 工作电压:1.8V,2.5V-3.3V
  • 业界标准封装:2520,3225,5032和7050封装
  • -40至+ 85℃范围内10 ppm的频率稳定性



Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT8208
 1MHz - 80 MHz
 ±10
±20
±25
±50
 LVCMOS
 1.8,2.5
2.8,3.3
 -20 ~ +70
-40 ~ +85
2.5x2.0,3.2x2.5
5.0x3.2,7.0x5.0
SiT8209
 80MHz to 220 MHz
±10
±20
±25
±50
LVCMOS
1.8,2.5 
2.8,3.3
-20 ~ +70
-40 ~ +85
2.5x2.0,3.2x2.5
5.0x3.2,7.0x5.0