32.768KHz

SiTime提供了MEMS 32.768kHz振荡器和TCXO的完整产品组合。 32.768KHz有源晶振超小尺寸,µPower功耗和高精度的独特组合,使这些器件非常适合对空间敏感的电池驱动产品进行计时。 32.768KHz有源晶振具有可编程的驱动强度,可以驱动多个负载,例如BLE睡眠时钟,RTC,音频和其他连接性SOC。

低功耗32.768KHz有源晶振

SiTime推出的基于MEMS的32.768KHz有源晶振,具有小尺寸和低功耗,非常适合在空间和功耗至关重要的可穿戴和移动应用中替代传统的石英晶体(谐振器)。
  • 小尺寸封装:1.5x0.8毫米,CSP封装(SiT1532) 
  • 兼容标准SMD封装(2.0x1.2毫米),可直接替代石英晶振
  • 低工作电流:<1 μA
  • NanoDrive™技术,支持工厂输出幅度编程,契合低功耗应用
  • 1.2V电压稳定工作,支持纽扣电池和超级电容等供电设备
  • 输出驱动能力强,无需额外负载电容
  • 驱动多个负载,节省额外元件数量
  • 内置滤波电路,省略外部Vdd旁路电容
  • 无补偿式振荡器,拥有最佳频率稳定度:初始频率稳定度10-20PPM,全温度范围内频率稳定度75-100PPM 
Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT1532
  32.768 kHz
 10 (room)
75 to 100(over temp.) 
 LVCMOS 
 1.2 ~ 3.63 
 -10 ~ +70
-40 ~ +85 
1.5 x 0.8 CSP
SiT1533
 32.768 kHz 
20 (room)
75 to 100(over temp.)
 
LVCMOS 
1.2 ~ 3.63 
-10 ~ +70
-40 ~ +85 
2.0 x 1.2 SMD 
SiT1630
 32.768 kHz
20 (room)
75 to 150 (over temp.) 
LVCMOS 
1.5 ~ 3.63 
-10 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105 
2.0 x 1.2 SMD

高精度32.768KHz有源晶振

SiTime基于MEMS的32.768kHz温补晶振,具有小尺寸和低功耗,是可穿戴及移动电子应用领域替代石英晶振的较好的选择。与32.768kHz石英晶振相比,SiTime 32.768kHz温补晶振物料清单更短,电路板占位面积更小,经二次注塑/底部充填后,在温度变化剧烈的环境中频率依然能够保持稳定。
  • 小尺寸封装:1.2mm2(1.5x0.8毫米)CSP封装
  • 低工作电流:1-4.5μA
  • 超低相位抖动,可用来驱动音频信息(超级温补振荡器系列)
  • 在环境温度变化剧烈(升/降温速率大于10℃/秒)的情况下,温补振荡器频率仍可保持稳定
  • 输出驱动能力强,无需额外负载电容
  • 内置滤波电路,大部分应用可省略外部Vdd旁路电容
  • 高频率稳定度
Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT1552
  32.768 kHz
±10 or ±20over temp.
LVCMOS 
1.5 ~ 3.63 
0 ~70
-40 ~ 85
1.5 x 0.8 CSP
SiT1576
  1 Hz–2.5 MHz
±5
±20 
LVCMOS
 1.62 ~ 3.63V
-20 ~ +70
-40 ~ +85 
1.5×0.8 CSP