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频率范围
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1MHz - 141MHz任意频率，可精确到小数点后6位
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频率稳定性(ppm)
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±20，±25，±50
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输出类型
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LVCMOS
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工作温度范围(℃)
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-20 ~ +70，-40 ~ +85
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扩频方式
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Triangular, Hershey Kiss
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扩频百分比（%）
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Center: ±0.125 to ±2.000, Down: -0.25 to -4.00
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上升/下降时间(ns)
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可配置，降低EMI
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工作电压(V)
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1.8，2.5 ~ 3.3
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封装尺寸(mm2)
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2.0x1.6，2.5x2.0，3.2x2.5
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特点
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可编程制程，任意参数自由组合
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状态
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量产
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SiT9005扩频晶振具有灵活的EMI降低选项
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● 扩频范围：中心扩频高达±2.0%，向下扩频低至-4.0%
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● 可配置扩展配置文件：Triangular ， Hershey-Kiss
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● 可配置上升/下降时间：8个选项
SiT9005扩频晶振载频EMI降低17 dB，谐波EMI降低30 dB
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● 无需重新设计电路板、金属外壳或其他昂贵的EMI降低方法即可实现EMI降低
SiT9005扩频晶振可编程制程，任意参数自由组合
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● 1MHz-141MHz任意频率，可精确到小数点后6位
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● ±20ppm ~ ±50ppm全温范围频率稳定性
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● 1.8V，2.5 - 3.3V任意工作电压自动适配
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● 行业标准通用尺寸2016/2520/3225，完全兼容替代石英晶振
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● 医疗电子设备
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● 高速串行链路
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● 音频和视频
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● 工业电动机
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● 工厂自动化
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● 安全与监控
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● 个人计算机
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● PCIe
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● 平板驱动器
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● 打印机
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● 家用电器
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功能引脚示意图
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脚位
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功能
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说明
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1
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OE/ ST/NC/SD
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Output Enable
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H[3]: specified frequency output
L: output is high impedance. Only output driver is disabled.
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Standby
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H[3]: specified frequency output
L: output is low (week pull down). Device goes to sleep mode.Supply current reduced to I_std.
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No Connect
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Pin1 has no function (Any voltage between 0 and Vdd or Open)
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Spread Disable
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H: Spread = ON
L: Spread = OFF
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2
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GND
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Power
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Electrical ground
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3
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OUT
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Output
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Oscillator output
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4
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VDD
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Power
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Power supply voltage[4]
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Notes:
3. In OE or ST mode, a pull-up resistor of 10 kΩ or less is recommended if pin 1 is not externally driven. If pin 1 needs to be left floating, use the NC option.
4. A capacitor of value 0.1 μF or higher between Vdd and GND is required.
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