电动汽车充电

方案咨询
电磁干扰(EMI)抵抗能力是电动汽车充电等电力相关应用的关键要求——无论是位于公共场所具备多个充电端口的充电站,还是通常用于居民住宅的单独独立单元。 SiTime的MEMS硅晶振为系统设计工程师提供了独特的功能,通过可编程驱动强度和扩频能力,有效减少电动汽车充电器中的辐射型电磁干扰(EMI)。
您是否遇到以下挑战
挑战1
尺寸和集成度

随着电动汽车技术的不断发展,充电系统也在向集成化和小型化方向发展。因此,晶振的尺寸和封装形式需要符合系统整体设计要求,能够方便地集成到充电模块中。

挑战2
环境适应性

电动汽车充电系统的工作环境通常较为复杂,可能面临高温、振动、电磁干扰等多种不利因素。这就要求晶振必须具有良好的环境适应性,能够在各种恶劣条件下保持稳定的性能。

挑战3
频率稳定性和精度

充电过程中,电流和电压的精确控制对晶振的稳定性有着极高的要求,以确保充电过程的安全和高效。因此,选择具有优异稳定性和高精度的晶振至关重要。

产品优势
经久耐用

无石英晶振可靠性问题

更有弹性

电动汽车的理想功能

扩展温度范围

减少电磁干扰


更低的功耗、更小的尺寸

外形小巧

低功耗


产品框图

电动汽车供电设备 (EVSE)

 

电动汽车供电设备 (EVSE) 有三到四个主要子系统,具体取决于设备类型,每个子系统都需要与其他子系统进行电磁干扰防护。

滤波、屏蔽和改进 PCB 布局是减少 EMI 的一种手段,但这些技术可能成本高昂且占用额外空间。降低时钟产生的噪声是一种快速且成本较低的方法。SiTime MEMS硅晶振就具有这样的降噪优势。


  • 1 级和 2 级充电器(交流充电器)至少有用于交流-直流转换、人机界面和系统监控的子系统。

  • 3 级充电器(直流充电器)有一个用于直流-直流转换的附加子系统。

  • 电池缓冲充电站允许在非高峰时段为电动汽车充电设备中的电池充电,

  • 有助于降低高峰时段用电的高额经常性成本。这些充电器不使用 DC-DC 子系统,

  • 而是需要一个电池管理系统 (BMS) 来监控电池的健康状况,并将受益于 SiTime MEMS振荡器,如 SiT8021、SiT2001 或 SiT9025。

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产品对比
数百万种配置
质量更优、功能更强
产品应用





产品产品参数产品特性

单端晶振

SiT8021   1 ~ 26 MHz



  • -40°C至85°C的工作温度范围

  • ±20 ppm的稳定性

  • 1.5 x 0.8mm的小巧封装



  • 高可靠性

  • 超宽温度范围

  • 小体积设计


单端晶振

SIT8008   1 ~ 110 MHz         

SIT8009   115 ~ 137 MHz                 




  • 工作温度范围:-20°C至+70°C,以及-40°C至85°C


  • 稳定性:±20ppm、±25ppm或±50ppm


  • 采用SOT23封装,提升板级可靠性



  • 可编程驱动强度

  • 快速启动时间,仅需5毫秒

  • 与石英晶振引脚对引脚替换兼容


单端晶振
SIT2001  1 ~ 220 MHz              
SIT2002  115 ~ 137 MHz



  • 稳定性:±20ppm、±25ppm或±50ppm

  • 工作温度范围:-20°C至+70°C,以及-40°C至85°C

  • 提供2016、2520、3225、5031、7050等多种封装尺寸选择




  • 可编程驱动强度

  • 快速启动时间,仅需5毫秒

  • 与石英晶振引脚对引脚替换兼容


扩频晶振
SIT9025  1 ~ 150 MHz              

  • 工作温度范围高达-55°C至125°C

  • 稳定性:±25ppm或±50ppm

  • 可配置上升/下降时间

  • 提供2016、2520、3225等封装尺寸

  • 符合AEC-Q100标准



  • 降低电磁干扰(EMI)

  • 高可靠性

  • 可编程驱动强度

  • 宽温度工作范围


扩频晶振
SIT9005  1 ~ 141 MHz              


  • 稳定性:±25ppm或±50ppm

  • 工作温度范围高达-40°C至85°C

  • 可配置上升/下降时间

  • 提供2016、2520、3225等封装尺寸


  • 降低电磁干扰(EMI)

  • 高可靠性

  • 可编程驱动强度

  • 宽温度工作范围


32.768KHz振荡器
SIT1811  32.768KHz             

  • 稳定性:±20ppm、±50ppm、±100ppm

  • 供电电压范围:1.14至3.63V

  • 低功耗:<490nA

  • 工作温度范围:-40°C至105°C

  • 封装尺寸:1.2 x 1.1mm

  • 启动时间:<115ms


  • 低功耗

  • 占用空间小

  • 稳定性优异

  • 比32.768kHz音叉晶体更快的启动时间,可实现更快的系统启动



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