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可编程晶振空白片 差分晶振 汽车级晶振 温补晶振 恒温晶振 fs级低抖动 特价申请
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MEMS硅晶振产品

    可编程晶振空白片FP

    FP空白片

    单端有源

    单端有源

    1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位
    1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位
    差分晶振

    差分晶振

    1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL
    1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL
    宽温晶振

    宽温晶振

    1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动
    1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动
    压控晶振

    压控晶振

    1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm
    1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm
    扩频晶振

    扩频晶振

    1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围
    1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围

    便携式编程器

    SiT6100DK

    SiT6100DK

    可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由
    可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由

    编程软件

    软件下载

    软件下载

    支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成
    支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成

    MHz有源晶振

    低功耗

    SiT8008

    SiT8008

    1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    SiT8009

    SiT8009

    115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    SiT1602

    SiT1602

    支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
    支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
    SiT8021

    SiT8021

    低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率
    低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率
    SiT2001

    SiT2001

    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    SiT2002

    SiT2002

    SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
    SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

    低抖动

    SiT8208

    SiT8208

    1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位
    1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位
    SiT8209

    SiT8209

    80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位
    80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位

    差分晶振

    FPGA参考设计推荐

    SiT9121

    SiT9121

    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    SiT9122

    SiT9122

    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    SiT9120

    SiT9120

    支持25-221.5MHz之间常规频率 ，LVDS/LVPECL信号模式
    支持25-221.5MHz之间常规频率 ，LVDS/LVPECL信号模式
    SiT9102

    SiT9102

    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

    低抖动0.3ps

    SiT9366

    SiT9366

    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    SiT9367

    SiT9367

    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    SiT9365

    SiT9365

    支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

    fs级低抖动

    SiT9501

    SiT9501

    70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    SiT9375

    SiT9375

    200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

    汽车级晶振

    单端

    SiT8924

    SiT8924

    AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率
    AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率
    SiT8925

    SiT8925

    AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率
    AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率
    SiT2024

    SiT2024

    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    SiT2025

    SiT2025

    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

    差分

    SiT9386

    SiT9386

    1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
    1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
    SiT9387

    SiT9387

    -40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    -40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    SiT9396

    SiT9396

    -40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    -40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    SiT9397

    SiT9397

    -40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    -40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

    抗冲击宽温晶振

    -55℃~+125℃

    SiT8920

    SiT8920

    1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失
    1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失
    SiT8921

    SiT8921

    119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装
    119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装
    SiT2020

    SiT2020

    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
    SiT2021

    SiT2021

    SOT23-5封装 ，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
    SOT23-5封装 ，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

    -40℃~+125℃

    SiT8918

    SiT8918

    标准通用封装 ，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动
    标准通用封装 ，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动
    SiT8919

    SiT8919

    标准通用封装 ，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化
    标准通用封装 ，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化
    SiT1618

    SiT1618

    标准通用封装 ，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
    标准通用封装 ，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
    SiT2018

    SiT2018

    SOT23-5封装 ，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能
    SOT23-5封装 ，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能
    SiT2019

    SiT2019

    SOT23-5封装 ，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT
    SOT23-5封装 ，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT

    压控晶振VCXO

    单端

    SiT3807

    SiT3807

    仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm
    仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm
    SiT3808

    SiT3808

    1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
    1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
    SiT3809

    SiT3809

    80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
    80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

    0.23ps低抖动差分

    SiT3372

    SiT3372

    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
    SiT3373

    SiT3373

    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

    低成本差分

    SiT3821

    SiT3821

    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm
    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm
    SiT3822

    SiT3822

    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm
    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm

    高精度温补晶振TCXO

    ±0.5ppm~2.5ppm

    SiT5155

    SiT5155

    支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS
    支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS
    SiT5156

    SiT5156

    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5157

    SiT5157

    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

    ±0.1ppm~0.25ppm

    SiT5356

    SiT5356

    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5357

    SiT5357

    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5501

    SiT5501

    1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

    ±5ppm温补差分

    SiT5021

    SiT5021

    1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式
    1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式
    SiT5022

    SiT5022

    220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式
    220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式

    恒温晶振OCXO

    ±5ppb OCXO

    SiT5711

    SiT5711

    Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击
    Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击

    ±5ppb DCOCXO

    SiT5721

    SiT5721

    Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
    Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能

    低功耗小尺寸KHz

    低功耗

    SiT1532

    SiT1532

    低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    SiT1533

    SiT1533

    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm
    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm
    SiT1630

    SiT1630

    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5

    高精度

    SiT1552

    SiT1552

    高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    SiT1576

    SiT1576

    1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

    扩频晶振SSXO

    单端

    SiT9005

    SiT9005

    1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选
    1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选
    SiT9003

    SiT9003

    1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选
    1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选

    差分

    SiT9002

    SiT9002

    1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
    1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
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    • 正确认识差分晶振与普通晶振的区别

            晶振，作为电子产品的心脏部分，为电路提供稳定、持续的时钟信号，我们可能并不陌生。但具体细分到普通晶振（单端）、差分晶振可能大家就有些分不清楚了。尤其是差分晶振。


          我们所谓的单端或差分，主要是指输出模式。单端一般是CMOS、TTL电平信号，只需要一根线输出就好了，优点是走线方便，但缺点也很明显，就是抗干扰能力差，不适合高速信号（100MHZ以上）。


           差分一般是LVDS、LVPECL等信号，需要两根线输出。优点是抗干扰能力强，缺点是布线需注意。


           单端模式是不支持高速应用的，比如：125MHZ、200MHZ及以上。主要原因是以下三点：


    （1）电平幅度大，信号高低电平之间的转换时间长，不适用于传输频率达到100MHZ以上的信号；


    （2）输出信号为单端信号（一条线），传输路径易受到干扰，不利于长线传输；


    （3）功耗大，大家都知道TTL器件的静态功耗较大，即使静态功耗小的CMOS器件，由于电平摆幅宽，其动态功耗也偏大。


        所以以上所有的缺点就是高速电平的突出特点！！！！！


          而差分信号则是二条线传输，会输出一组振幅相同、相位相反的信号。而接收端则会根据两个信号的电压差值来判断逻辑状态。所以在高速通信中，差分信号的抗干扰特性是明显优于单端信号的。


           顾名思义，单端晶振输出的是单端信号，差分晶振输出的是差分信号。所以一般的单端晶振封装为贴片四脚，而差分晶振则需贴片六脚。


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