SiTime抗冲击宽温振荡器SiT8918替代DIODES HX321系列说明与比较

1、HX321和SiT8918规格参数对比




HX321
SiT8918
封装尺寸

3.2mm x 2.5mm

2.0mm x 1.6mm、2.5mm x 2.0mm、3.2mm x 2.5mm、

5.0mm x 3.2mm、7.0mm x 5.0mm

温度范围

-40℃ ~ +90℃、-40℃ ~ +100℃、

-40℃ ~ +105℃、-40℃ ~ +125℃

-40℃ ~ +105℃、 -40℃ ~ +125℃

电源电压
1.8V、2.5V、3.3V
1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、2.25V - 3.63V
精度
±25ppm、±30ppm、±50ppm、±70ppm、±100ppm
±20ppm、±25ppm、±30ppm、±50ppm
信号模式
LVCMOS
LVCMOS
频率范围
1.75MHz - 161MHz
1MHz - 110MHz


2、HX321和SiT8918脚位定义


HX321脚位定义


SiT8918脚位定义


如上图所示,HX321和SiT8918在脚位定义一致.


3、HX321和SiT8918封装尺寸及焊盘位置


HX321封装尺寸及焊盘位置



SiT8918 3225封装尺寸及焊盘位置


如上图所示:SiT8918 和HX321 封装尺寸及焊盘位置一致.


4、对比HX321和SiT8918型号命名,可以自由选择出替代完整型号


HX321型号命名规则


SiT8918型号命名规则


综上所述,SiT8918与HX321在功能参数、封装尺寸上基本一致,可以替代。
更多SiTime晶振替代DIODES产品对比表如下,请参考:



DIODES SiTime
HX201 SiT8918
HX251 SiT8918
HX321
SiT8918
HX322
SiT9366
HX502
SiT9366
HX702
SiT9366
HX323
SiT9366
HX503
SiT9366
HX703
SiT9366
NX251
SiT8008/SiT8009
NX321
SiT8008/SiT8009
NX501
SiT8008/SiT8009
NX701
SiT8008/SiT8009
NX322
SiT9121/SiT9122
NX502 SiT9121/SiT9122
NX702
SiT9121/SiT9122
NX323
SiT9121/SiT9122
NX503 SiT9121/SiT9122
NX703
SiT9121/SiT9122
NX324 SiT9121/SiT9122
NX504 SiT9121/SiT9122
NX704 SiT9121/SiT9122
NX326
SiT9121/SiT9122
NX506 SiT9121/SiT9122
NX706 SiT9121/SiT9122
UX31/UX321 SiT8208/SiT8209
UX51/UX501
SiT8208/SiT8209
UX71/UX701
SiT8208/SiT8209
UX52/UX502 SiT9366
UX72/UX702 SiT9366
UX53/UX503 SiT9366
UX73/UX703
SiT9366
LR-3.3V SiT9121/SiT9122
PR-3.3V SiT9121/SiT9122
YD-3.3V SiT8208
YJ-3.3V SiT8208
YK-3.3V SiT8208