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可编程晶振空白片 差分晶振 汽车级晶振 温补晶振 恒温晶振 fs级低抖动 特价申请
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MEMS硅晶振产品

    可编程晶振空白片FP

    FP空白片

    单端有源

    单端有源

    1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位
    1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位
    差分晶振

    差分晶振

    1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL
    1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL
    宽温晶振

    宽温晶振

    1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动
    1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动
    压控晶振

    压控晶振

    1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm
    1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm
    扩频晶振

    扩频晶振

    1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围
    1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围

    便携式编程器

    SiT6100DK

    SiT6100DK

    可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由
    可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由

    编程软件

    软件下载

    软件下载

    支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成
    支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成

    MHz有源晶振

    低功耗

    SiT8008

    SiT8008

    1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    SiT8009

    SiT8009

    115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸
    SiT1602

    SiT1602

    支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
    支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
    SiT8021

    SiT8021

    低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率
    低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率
    SiT2001

    SiT2001

    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    SiT2002

    SiT2002

    SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
    SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

    低抖动

    SiT8208

    SiT8208

    1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位
    1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位
    SiT8209

    SiT8209

    80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位
    80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位

    差分晶振

    FPGA参考设计推荐

    SiT9121

    SiT9121

    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    SiT9122

    SiT9122

    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
    SiT9120

    SiT9120

    支持25-221.5MHz之间常规频率 ，LVDS/LVPECL信号模式
    支持25-221.5MHz之间常规频率 ，LVDS/LVPECL信号模式
    SiT9102

    SiT9102

    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

    低抖动0.3ps

    SiT9366

    SiT9366

    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    SiT9367

    SiT9367

    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    SiT9365

    SiT9365

    支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
    支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

    fs级低抖动

    SiT9501

    SiT9501

    70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    SiT9375

    SiT9375

    200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
    200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

    汽车级晶振

    单端

    SiT8924

    SiT8924

    AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率
    AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率
    SiT8925

    SiT8925

    AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率
    AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率
    SiT2024

    SiT2024

    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
    SiT2025

    SiT2025

    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
    AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

    差分

    SiT9386

    SiT9386

    1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
    1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
    SiT9387

    SiT9387

    -40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    -40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    SiT9396

    SiT9396

    -40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    -40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    SiT9397

    SiT9397

    -40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
    -40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

    抗冲击宽温晶振

    -55℃~+125℃

    SiT8920

    SiT8920

    1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失
    1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失
    SiT8921

    SiT8921

    119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装
    119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装
    SiT2020

    SiT2020

    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
    SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
    SiT2021

    SiT2021

    SOT23-5封装 ，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
    SOT23-5封装 ，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

    -40℃~+125℃

    SiT8918

    SiT8918

    标准通用封装 ，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动
    标准通用封装 ，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动
    SiT8919

    SiT8919

    标准通用封装 ，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化
    标准通用封装 ，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化
    SiT1618

    SiT1618

    标准通用封装 ，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
    标准通用封装 ，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
    SiT2018

    SiT2018

    SOT23-5封装 ，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能
    SOT23-5封装 ，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能
    SiT2019

    SiT2019

    SOT23-5封装 ，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT
    SOT23-5封装 ，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT

    压控晶振VCXO

    单端

    SiT3807

    SiT3807

    仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm
    仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm
    SiT3808

    SiT3808

    1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
    1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
    SiT3809

    SiT3809

    80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
    80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

    0.23ps低抖动差分

    SiT3372

    SiT3372

    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
    1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
    SiT3373

    SiT3373

    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
    220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

    低成本差分

    SiT3821

    SiT3821

    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm
    1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm
    SiT3822

    SiT3822

    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm
    220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm

    高精度温补晶振TCXO

    ±0.5ppm~2.5ppm

    SiT5155

    SiT5155

    支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS
    支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS
    SiT5156

    SiT5156

    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5157

    SiT5157

    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

    ±0.1ppm~0.25ppm

    SiT5356

    SiT5356

    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5357

    SiT5357

    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    SiT5501

    SiT5501

    1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
    1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

    ±5ppm温补差分

    SiT5021

    SiT5021

    1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式
    1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式
    SiT5022

    SiT5022

    220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式
    220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式

    恒温晶振OCXO

    ±5ppb OCXO

    SiT5711

    SiT5711

    Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击
    Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击

    ±5ppb DCOCXO

    SiT5721

    SiT5721

    Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
    Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能

    低功耗小尺寸KHz

    低功耗

    SiT1532

    SiT1532

    低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    SiT1533

    SiT1533

    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm
    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm
    SiT1630

    SiT1630

    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
    低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5

    高精度

    SiT1552

    SiT1552

    高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    SiT1576

    SiT1576

    1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
    1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

    扩频晶振SSXO

    单端

    SiT9005

    SiT9005

    1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选
    1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选
    SiT9003

    SiT9003

    1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选
    1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选

    差分

    SiT9002

    SiT9002

    1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
    1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
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    • SiT2018：SOT23-5封装抗冲击宽温振荡器——频率测试报告

        SiT2018 抗冲击宽温振荡器采用 嵌入式 SOT23-5 封装，可实现最佳的板级焊点可靠性和低成本、仅光学的板级检测。SiT2018 抗冲击宽温振荡器具有-40℃ ~ +125℃的宽温范围、1 - 110MHz 宽频率范围、低功耗、出色的稳定性和极短的交货时间等优势，适用于工业、医疗、汽车、航空电子和其他高温应用。SiT2018 抗冲击宽温振荡器还具有业界最佳的 0.1 ppb/g 振动灵敏度、50,000 g 冲击和 70 g 抗振性。


        以下是SiT2018系列产品部分频率的测试报告：


        SiT2018 100MHz LVCMOS 
        SiT2018 11.0592MHz LVCMOS 
        SiT2018 12.288MHz LVCMOS 
        SiT2018 12MHz LVCMOS 
        SiT2018 13.225625MHz LVCMOS 
        SiT2018 13.52127MHz LVCMOS 
        SiT2018 14.31818MHz LVCMOS 
        SiT2018 14.7456MHz LVCMOS 
        SiT2018 15MHz LVCMOS 
        SiT2018 16.384MHz LVCMOS 
        SiT2018 18.432MHz LVCMOS 
        SiT2018 19.6608MHz LVCMOS 
        SiT2018 20MHz LVCMOS 
        SiT2018 22.1184MHz LVCMOS 
        SiT2018 24.56MHz LVCMOS 
        SiT2018 24.576MHz LVCMOS 
        SiT2018 24MHz LVCMOS 
        SiT2018 25MHz LVCMOS 
        SiT2018 26MHz LVCMOS 
        SiT2018 27MHz LVCMOS 
        SiT2018 29.4912MHz LVCMOS 
        SiT2018 32MHz LVCMOS 
        SiT2018 33MHz LVCMOS 
        SiT2018 36MHz LVCMOS 
        SiT2018 40MHz LVCMOS 
        SiT2018 48MHz LVCMOS 
        SiT2018 50MHz LVCMOS 
        SiT2018 54MHz LVCMOS 
        SiT2018 62.5MHz LVCMOS 
        SiT2018 65MHz LVCMOS 
        SiT2018 7.3728MHz LVCMOS 
        SiT2018 72MHz LVCMOS 
        SiT2018 74.176MHz LVCMOS 
        SiT2018 74.25MHz LVCMOS 
        SiT2018 75MHz LVCMOS 
        SiT2018 77.76MHz LVCMOS 
        SiT2018 8.192MHz LVCMOS 
        SiT2018 8MHz LVCMOS 
        SiT2018 9.8304MHz LVCMOS 
        SiT2018 9.84375MHz LVCMOS 

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