SiT5357:60 - 220MHz高频可编程温补晶振TCXO

    SiT5357 是 ±100 ppb 高频 MEMS 精密 Super-TCXO。该设备专为实现最佳动态性能而设计。它完全符合 GR-1244 Stratum 3 振荡器规范。通过利用 SiTime 独特的 DualMEMS™ 和 TurboCompensation™ 温度传感技术,SiT5357 在存在环境压力源(气流、温度扰动、振动、冲击和电磁干扰 (EMI))的情况下提供最稳定的计时。


    SiT5357 可以在工厂编程为频率、稳定性、电压和牵引范围的任意组合。这种可编程性使设计人员能够优化时钟配置,同时消除与石英 TCXO 相关的长时间交付和定制成本,其中每个频率都是定制的。




    SiT5357选型参数

    振荡器类型:TCXO
    频率:60 - 220MHz任意频率,可精确到小数点后6位
    频率稳定性:±0.1ppm、±0.2ppm、±0.25ppm
    相位抖动(rms):0.31ps
    输出类型:LVCMOS
    工作温度:-20℃ ~ +70℃、-40℃ ~ +80℃、-40℃ ~ +105℃
    牵引范围:±6.25ppm、±10ppm、±12.5ppm、±25ppm、±50ppm、±80ppm、±100ppm、±125ppm、±150ppm、±200ppm、±400ppm、±600ppm、±800ppm、±1600ppm、±3200ppm
    电源电压:2.5V、2.8V、3.0V、3.3V
    封装尺寸:5.0mm x 3.2mm



    SiT5357特点

    60 至 220 MHz 输出频率

    无需倍频器


     在气流、快速温度和斜坡作用下,具有优异的动态稳定性
    ±100ppb的频率稳定性
    3e-11 ADEV 在 10 秒平均时间
    ±15 ppb/°C 频率斜率 (ΔF/ΔT),10°C/min 斜坡
    确保恶劣环境中电信和网络设备的系统级服务质量


    振动下的相位噪声提高 20 倍
    最大限度地减少高振动环境中的呼叫和/或链路中断


    没有活动下降或微跳
    无需进行昂贵的筛选或老化测试


    0.2 ps/mV 电源噪声抑制 (PSNR)
    通过消除用于 TCXO 的专用 LDO 来减少 BOM


    LVCMOS 输出
    优化以实现 EMI 和抖动之间的最佳平衡


    丰富的可编程功能
    60 至 189 MHz 和 200 至 220 MHz 之间的任何频率
    2.25 至 3.63 V
    ±6.25 至 ±3200 ppm 的牵引范围
    自定义 TCXO 规格以获得最佳系统性能


    通过 I2C 进行数字频率调谐
    消除电路板噪声引起的频移


    卓越的可靠性
    10 亿小时 MTBF
    终身保修
    减少由于时钟组件引起的维修成本和现场故障

    SiT5357应用


SONET/SDH 第 3 层
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IEEE 1588 边界时钟和大师级时钟
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